Resistive Switching Behavior in Organic–Inorganic Hybrid CH3NH3PbI3−xClx Perovskite for Resistive Random Access Memory Devices

Advanced Materials - Tập 27 Số 40 - Trang 6170-6175 - 2015
Eun Ji Yoo1,2, Miaoqiang Lyu2, Jung‐Ho Yun2, Chi Jung Kang3, Young Jin Choi1, Lianzhou Wang2
1Department of Nanotechnology and Advanced Materials Engineering, Sejong University, Seoul, 143-747, South Korea
2Nanomaterials Centre, School of Chemical Engineering and AIBN, The University of Queensland, St. Lucia, Brisbane, QLD, 4072, Australia
3Department of Physics Myong Ji University Yongin-si 449-728 South Korea

Tóm tắt

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

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Advanced Materials

Tập 27 Số 40

6170-6175

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