Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Yêu cầu đối với sự méo môđun thấp trong các transistor vận chuyển electron cao GaN-Al/sub x/Ga/sub 1-x/N: một đánh giá mô hình
Tóm tắt
Phân tích mô hình các đặc tính tín hiệu lớn của các transistor vận chuyển electron cao GaN-Al/sub x/Ga/sub 1-x/N (HEMTs), đặc biệt tập trung vào sự méo môđun (IMD) và điểm giao cắt bậc ba. Do tính phi tuyến phụ thuộc nhiều vào hành vi vận chuyển của các hạt tải, một chế độ mô phỏng số dựa trên phương pháp Monte Carlo (MC) đã được áp dụng. Mục tiêu là xác định các thông số và mối tương quan giữa chúng với mục tiêu thiết lập giới hạn tối ưu nhằm cải thiện hiệu suất vi sóng. Một trường hợp được nêu ra để tăng tỷ lệ mol cho lớp rào cản, giảm chiều dài quá cảnh, và giới thiệu một lớp AlN mỏng tại giao diện để giảm thiểu quá trình chuyển giao không gian thực nhằm nâng cao hiệu suất thiết bị. Cuối cùng, các dự đoán về hành vi phi tuyến và IMD ở nhiệt độ cao đã được thực hiện bằng cách tiến hành các mô phỏng MC ở 600 K. Trong quá trình này, một trường hợp thuận lợi được đưa ra cho hệ thống GaN như một ứng cử viên tiềm năng cho các ứng dụng vi sóng và RF ở nhiệt độ cao.
Từ khóa
#MODFETs #Intermodulation distortion #Charge carrier mobility #Charge carrier density #Gallium compounds #Aluminum compounds #Semiconductor device modeling #Monte Carlo methods #Microwave FETsTài liệu tham khảo
10.1103/PhysRevB.56.R10024
10.1109/TMTT.1980.1129999
10.1109/16.906437
ventury, 2001, the impact of surface states on the dc and rf characteristics of algan/gan hfets, IEEE Transn Electron Devices, 48, 560, 10.1109/16.906451
10.1002/(SICI)1521-396X(199911)176:1<175::AID-PSSA175>3.0.CO;2-I
10.1016/S0038-1101(97)00103-2
10.1109/22.817478
10.1109/22.808986
schetzen, 1980, The Volterra and Wiener Theories of Nonlinear Systems
10.1049/el:19990887
10.1063/1.369664
10.1063/1.373744
10.1049/el:19990957
10.1109/5.469300
10.1063/1.117607
10.1109/55.536291
10.1016/S0038-1101(99)00091-X
10.1109/16.906455
10.1109/55.678543
10.1002/(SICI)1521-396X(199911)176:1<201::AID-PSSA201>3.0.CO;2-L
10.1109/16.906429
10.1016/S0038-1101(96)00161-X
10.1016/0038-1101(78)90123-5
10.1063/1.117689
10.1063/1.111215
10.1109/55.954910
10.1109/T-ED.1985.22291
10.1063/1.369493
10.1103/PhysRevB.19.6433
madelung, 1981, Physics of Group IV Elements and III– V Compounds Group III
10.1143/JJAP.36.L1568
bulman, 1997, pulsed operation lasing in a cleaved-facet ingan/gan mqw sch laser grown on 6h-sic, Electronics Letters, 33, 1556, 10.1049/el:19971025
10.1063/1.121767
10.1143/JJAP.34.L1332
10.1049/el:19950020
10.1007/978-3-642-58562-3_11
10.1109/2944.704115
10.1063/1.365963
10.1063/1.367269
10.1049/el:19971127
10.1109/55.753753
10.1063/1.111511
morkoc, 1999, Nitride Semiconductors and Devices, 10.1007/978-3-642-58562-3
10.1109/55.624930
10.1063/1.111832
10.1063/1.123001
10.1063/1.371602
10.1063/1.360871
10.1109/16.34247
10.1103/RevModPhys.54.437
10.1063/1.121307
10.1103/PhysRevB.14.1605
10.1103/PhysRevLett.16.797
10.1063/1.367269
10.1063/1.116177
trofimenkoff, 1965, field-dependent mobility analysis of the field-effect transistor, Proceedings of the IEEE, 53, 1765, 10.1109/PROC.1965.4385
10.1063/1.366309