Woochul Yang1, Harald Ade1, R. J. Nemanich1
1Department of Physics, North Carolina State University, Raleigh, USA
Tóm tắt
Tóm tắtSự hình thành các đảo Ti silicide kích thước nano đã được quan sát bằng Kính hiển vi phát xạ điện tử (PEEM). Các đảo này được chuẩn bị bằng cách lắng đọng một lớp Ti mỏng siêu (3–12ML) lên bề mặt Si(001) ở nhiệt độ phòng và ở nhiệt độ cao 950°C. Quá trình hình thành đảo đã được khởi đầu bằng việc tái nhiệt in situ lên đến 1150°C. Quan sát cho thấy ban đầu các đảo Ti silicide bắt đầu hình thành, trong khi việc gia nhiệt kéo dài cho thấy một số đảo di chuyển và hợp nhất với các đảo khác. Hầu hết các đảo có kích thước tương tự và có khoảng cách tương đối đồng nhất. Ngoài ra, cũng đã chỉ ra rằng đối với việc lắng đọng liên tục Ti ở nhiệt độ 950°C, mật độ của các đảo không tăng lên. Tuy nhiên, các đảo phát triển cùng nhau khi các đường biên của chúng chạm vào nhau. Các kết quả được mô tả thông qua các quá trình phát triển của đảo, bao gồm sự hợp nhất và sự trưởng thành của đảo.
