Xử Lý Nhiệt Nhanh - Góc Nhìn Của Người Dùng

R. T. Fulks1
1Electronics and Imaging Laboratory, Xerox Palo Alto Research Center, Palo Alto, USA

Tóm tắt

TÓM TẮT

Kỹ thuật xử lý nhiệt nhanh (RTP) đã phát triển từ những nỗ lực nghiên cứu trong phòng thí nghiệm nhằm nhanh chóng làm nóng các mảnh vật liệu bán dẫn nhỏ bằng cách sử dụng laser xung hoặc quét, đến các thiết bị RTP sản xuất có năng suất cao có khả năng làm nóng nhanh chóng các đĩa silicon kích thước 8-inch lên trên 1000 độ C chỉ trong 10 giây. Hơn nữa, ứng dụng ban đầu của việc hồi phục hư hại do cấy ion đã mở rộng để bao gồm sự hình thành silicide, tái chảy oxit, hình thành tiếp xúc, kiểm soát gò (hillock) và gần đây là oxi hóa và nitride hóa. Gần một tá nhà cung cấp hiện nay sản xuất thiết bị RTP và người sử dụng tiềm năng phải tự trả lời câu hỏi - “Thiết bị nào là tốt nhất cho tôi?” Mối quan tâm chính của các nhà nghiên cứu đối với thiết bị RTP là tính linh hoạt và khả năng kiểm soát trong khi kỹ sư sản xuất muốn có tính đồng nhất, khả năng tái lập và năng suất hợp lý. Trong khi đó, nhà thiết kế thiết bị muốn một quá trình “an toàn” không có ô nhiễm hay các tác động xấu khác làm suy giảm thiết bị. Bài báo này sẽ tập trung vào những vấn đề này và các vấn đề khác liên quan đến việc sử dụng xử lý nhiệt nhanh từ quan điểm của người dùng, bao gồm một số suy nghĩ về hướng đi của RTP trong tương lai.

Từ khóa

#xử lý nhiệt nhanh #thiết bị RTP #bán dẫn #silicide #oxit #cấy ion

Tài liệu tham khảo

10.1109/EDL.1985.26099

8. Shatas S. and Ramani R. , Workshop on Refractory Metal Silicides for VLSI, May, 1983, San Juan Batista, CA.

10.1109/EDL.1982.25529

Kachurin, 1976, Sov. Phys. Semicond., 9, 946

10.1063/1.337155

7. Gat A. , Private Communication.

10.1049/el:19790032

10.1063/1.92818

10.1016/0038-1101(81)90073-3