Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Ảnh hưởng của quá trình luyện nhiệt nhanh đến các siêu mạng lớp căng InxGal-xAs/GaAs
Tóm tắt
Ảnh hưởng của quá trình luyện nhiệt nhanh lặp lại (RTA) ở nhiệt độ 800°C đã được nghiên cứu đối với các siêu mạng lớp căng (SLS) In.2Ga.8As/GaAs (80Å/80Å) và In.3Ga.7As/GaAs (80Å/80Å) bằng phương pháp phát quang (PL) và kỹ thuật hấp thụ nhạy cảm cao quang nhiệt lệch quang phổ (PDS) [1]. Các mẫu vật được luyện nhiệt lặp lại ở 800 °C trong khoảng thời gian 15 giây cho đến tổng thời gian 45 giây. Giữa mỗi lần luyện, quang phổ PL được ghi lại ở nhiệt độ 1.4 K. Các phép đo PL cho thấy sự chuyển dịch màu đỏ ban đầu và sau đó là chuyển dịch màu xanh với thời gian luyện nhiệt gia tăng. Những chuyển dịch này đi kèm với sự giảm cường độ của các đỉnh PL. Dữ liệu hấp thụ PDS được đo ở nhiệt độ phòng cho các vật liệu chưa xử lý và cho 45 giây RTA. Dữ liệu PDS được đo ở nhiệt độ phòng cho 0 và 45 giây RTA nhất quán với dữ liệu PL. Các chuyển dịch quang phổ có thể chỉ ra một sự cạnh tranh giữa ảnh hưởng của việc thư giãn ứng suất tác động nhiệt và sự khuếch tán hóa học.
Từ khóa
#luyện nhiệt nhanh #siêu mạng lớp căng #phát quang #kỹ thuật hấp thụ nhạy cảm cao #phát quang nhiệt lệch quang phổTài liệu tham khảo
W.B. Jackson, N.M. Amer, A. Boccara, and D. Fournier, Applied Optics, 20, 1333, (1981).
A.F.S. Penna, Jagdeep Shah, A.E. DiGiovanni, A.Y. Cho, and A.C. Gossard, Appl. Phys. Lett., 47 (6), 591–593, (1985).
S. Niki, C.L. Lin, W.S.C. Chang, and H.H. Wieder, Applied Physics Letters, 55 (13), (1989).
M. Neuberger, Handbook of Electronic Materials. Vol, 2. III-y Semiconducting Compounds, (TFI/Plenum, New York-Washington-London, 1971), p.53.
J.A. Olsen, E.L. Hu, D.R. Myers, J.F. Klem, and A. Skumanich, (to be published).