Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Ảnh hưởng của bức xạ đến sự phá huỷ trong các điốt silicon đa bảo vệ
Tóm tắt
Chúng tôi đã nghiên cứu đặc điểm điện áp-dòng điện của các điốt PIN silicon với nhiều cấu trúc đa bảo vệ khác nhau. Các cấu trúc này được thiết kế nhằm gia tăng điện áp đột phá tổng thể của thiết bị. Các phép đo tương tự đã được thực hiện sau khi chiếu xạ gamma ở các liều khác nhau và chiếu xạ neutron ở các độ chiếu xạ cao hơn ngưỡng đảo ngược. Nghiên cứu này là bước đầu tiên trong việc xác định các cấu trúc bảo vệ được tối ưu hóa cho hoạt động trong môi trường bức xạ cao, như những gì dự kiến tại LHC.
Từ khóa
#tín hiệu điện áp-dòng điện #điốt PIN silicon #cấu trúc đa bảo vệ #chiếu xạ gamma #chiếu xạ neutron #bức xạ cao #LHCTài liệu tham khảo
Hutinen M. andAarnio P.,Nucl. Instrum. Methods A,336 (1993) 98; CMSCollaboration, Technical Proposal, CERN/LHCC 94-38, LHCC/P1, 15 Dec. 1994; ATLAS, Technical Proposal, CERN/LHCC/94-43, LHCC/P2, 15 Dec. 1994.
Pitzl D. et al., Nucl. Instrum. Methods A,311 (1992) 98.
Evensen L. et al., Nucl. Instrum. Methods A,326 (1993) 136.
Bischoff A. et al., Nucl. Instrum. Methods A,326 (1993) 27.
Evensen L. et al., Nucl. Instrum. Methods A,337 (1993) 44.
Holmes-Siedle A. et al., Nucl. Instrum. Methods A,339 (1994) 126.
Unpublished results, Imperial College.
Longoni A. et al., Nucl. Instrum. Methods A,288 (1990) 35.
Lemeilleur F. et al., IEEE Trans. Nucl. Sci.,41 (1994) 425.