Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Mô hình định lượng quy trình khuyết tật trong tinh thể ion
Tóm tắt
Bài viết này đề cập đến việc dự đoán chính xác các thuộc tính và quy trình khuyết tật bằng các phương pháp lượng tử, với trọng tâm là các hệ ion. Các phương pháp này đặc biệt có giá trị cho những tình huống mà việc thực nghiệm trực tiếp là khó khăn do thời gian hoặc các cực đoan về nhiệt độ hoặc áp suất. Trong hầu hết các trường hợp, cần phải giải quyết một vấn đề cấu trúc điện tử kết hợp với một kỹ thuật nhằm bao gồm sự phân cực và biến dạng của vật thể rắn xung quanh. Các thành phần phân cực này có thể lớn và thậm chí chiếm ưu thế, và các phương pháp đơn giản thường không đủ. Tôi thảo luận về nhiều khía cạnh, tất cả đều bao gồm việc sử dụng các tiềm năng thực nghiệm, đó là (i) chiến lược kết hợp cấu trúc điện tử và biến dạng, (ii) tính toán cổ điển về năng lượng lượng tử, và (iii) các trường hợp cần động lực học lượng tử. Các ví dụ được đưa ra cho công việc khai thác các mã đã phát triển tại Harwell.
Từ khóa
#khuyết tật #quy trình khuyết tật #tinh thể ion #phương pháp lượng tử #điện tử #phân cực #biến dạng #năng lượng lượng tử #động lực học lượng tử.Tài liệu tham khảo
Baraff G, Kane EO, Schluter M (1980) Theory of the silicon vacancy: an Anderson negative U system. Phys Rev B21:5662–5686
Bartram RH, Stoneham AM (1985) Alternative forms for the Promoting Interaction in Non-Radiative Transitions. J Phys C18:L549–552
Bernolc J, Lipari NO, Pantelides ST, Scheffler M (1981) Theory of point defects and deep impurities in semiconductors. Inst of Phys Conf Se 59:1–20
Cade PE, Tasker PW, Stoneham AM (1984) The self-trapped hole in NaCl-type halides I. Phys Rev B30:4621–4639
Car R, Parrinello M (1985) Unified approach for molecular dynamics and density functional theory. Phys Rev Lett 55:2471–2474
Catlow CRA (1977) Defect properties of uranium dioxide. Proc Roy Soc A353:533–545
Catlow CRA, Stoneham AM (1983) Ionicity and covalency in solids. J Phys C16:4321–4338
Cochran W (1971) Lattice dynamics in the shell model. Crit Rev Sol St Sci 2:1–21
Dominguez Rodriguez A, Caistaing J, Marquez R (eds) (1984) Basic properties of binary oxides. University of Seville Press, Seville
Harding JH (1985) The calculation of the free energy of defects in calcium fluoride. Phys Rev B32:6861–6871
Harding JH (1986) Computer simulation of defect properties. Mat Res Soc Symp 60. In press
Harding JH (1979) Electronic structure of the V− and related centres. J Phys C12:3931–3940
Harding JH, Stoneham AM (1984) Calculations of hugoniots in ionic solids. J Phys C17:1179–1189
Harding JH, Stoneham AM (1982) Defect energies in ZnSe. J Phys C25:4649–4659
Harding JH, Harker AH, Keegstra PB, Pandey R, Vail JM, Woodward C (1985) Hartree Fock computations of defect and perfect ionic crystal properties. Physica 131 (B+C):151–157
Hayes W, Stoneham AM (1985) Defects and defect processes in non-metallic solids. John Wiley, New York
Hoare JP, Masri P, Tasker PW (1983) Surface vibrations of MgO. AERE Report R 10752
Larkins FP, Stoneham AM (1971) Lattice distortion near vacancies in diamond and silicon. J Phys C4:143–153, 154–163
Joosen W, Goovaerts E, Schoemaker D (1986) Polarised Raman study of phonon-modes perturbed by the off-center Li+ impurity in KCl. Phys Rev B34:1273–1276
Masri PM, Stoneham AM (1985) Recombination-enhanced processes modelled by molecular dynamics. J Electron Mater 14:187–193
Norgett MJ, Pathak AP, Stoneham AM (1977) The Electronic Structure of the V− centre. J Phys C10:555–565
Masri PM, Tasker PW (1985) Surface phonons and surface reconstruction in Ca-doped MgO. Surf Sci 149:209–215
Norgett MJ, Stoneham AM (1973) The self-trapped hole in alkaline earth fluorides I. J Phys C6:229–237
Sangster MJL, Atwood RM (1978) Interatomic potentials in alkali halides. J Phys C11:1541–1551
Sangster MJL, Stoneham AM (1980) Multiple charge states of transition metal ion impurities. Phil Mag B43:609–619
Sangster MJL, Stoneham AM (1982) Off-center Li in KCl: Infra red absorption in behaviour under pressure. Phys Rev B26:1026–1035
Sangster MJL, Stoneham AM (1984) Calculation of absolute diffusion rates in oxides. J Phys C17:6093–6104
Scheffler M, Vigneron JP, Bachelet G (1985) Total energy gradients and lattice distortions at point defects in semiconductors. Phys Rev B31:6541–6551
Schober HR, Stoneham AM (1985) Lattice dynamics and interstitial motion. Springer Proc Phys 10:149–154
Schober HR, Stoneham AM (1986) Quantum diffusion of light interstitials. Hyperfine Int, 31:141–146
Sempolinski DR, Kingery WD (1980) Ionic conductivity and magnesium vacancy mobility in magnesium oxide. J Am Ceram Soc 63:664–672
Sharma RR, Stoneham AM (1976) Theory of F +s Surface centre in MgO. J Chem Soc (Farad II) 72:913–919
Stoneham AM (1975) Theory of defects in solids. Oxford University Press
Stoneham AM (1977) Non-classical diffusion processes. J Nucl Mat 69/70:109–116
Stoneham AM (1981) Non radiative transitions. Rep Prog Phys 44:1251–1295
Stoneham AM (1984) Electron-Phonon interaction and defect processes in laser materials. In: Hammerling P, Bugar A, Pinto A (eds) Springer Series in Optical Sciences 47:190–198
Stoneham AM (1985) Electronic processes in ionic semiconductors. AERE M 3253
Stoneham AM, Bartram RH (1970) Polarisation and distortion near colour centres. Phys Rev B2:3403–3415
Stoneham AM, Harding JH (1986) Interatomic potentials in ionic solids. Ann Rev Phys Chem 37:53–80
Torres VJB, Masri PM, Stoneham AM (1986) Extended Interstitial in silicon: a test of valence force calculations. Mat Sci Forum 11–12:73–78