Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Hiệu ứng Stark bậc hai trong fullerene C60 tại các hướng đối xứng thấp trong trường điện
Tóm tắt
Kết quả mô phỏng số về ảnh hưởng của trường điện E = 0 - 1 V/Å đến cấu trúc điện tử của fullerene trung hòa C60, với sự xem xét biến dạng hướng của khung carbon của nó ở các hướng tùy ý trong trường điện, bao gồm các hướng đối xứng thấp, được trình bày. Sự tách rời của các mức t
1u
- và h
u
-của phân tử do hiệu ứng Stark bậc hai đã được điều tra. Sự phụ thuộc của hàm công suất điện tử hiệu dụng và khoảng cách năng lượng giữa các orbital phân tử chưa chiếm và chiếm cao nhất trên cường độ của trường điện đã được xác định.
Từ khóa
Tài liệu tham khảo
M. F. Craciun, S. Russo, M. Yamamoto, J. B. Oostinga, A. F. Morpurgo, and S. Tarucha, Nat. Nanotechnol. 4, 383 (2009).
Y. Zhang, T.-T. Tang, C. Girit, Z. Hao, M. C. Martin, A. Zettl, M. F. Crommie, Y. R. Shen, and F. Wang, Nature (London) 459, 820 (2009).
O. E. Glukhova, A. S. Kolesnikova, G. V. Torgashov, and Z. I. Buyanova, Phys. Solid State 52(6), 1323 (2010).
A. Saffarzadeh and G. Kirczenow, Appl. Phys. Lett. 102, 173101 (2013).
C. P. Huang, W. S. Su, C. C. Su, and M. S. Ho, R. Soc. Chem. Adv. 3, 9234 (2013).
C. P. Huang, C. C. Su, W. C. Su, C. F. Hsu, and M. S. Ho, Appl. Phys. Lett. 97, 061908 (2010).
S. Wehrli, E. Koch, and M. Sigrist, Phys. Rev. B: Condens. Matter 68, 115412 (2003).
A. V. Tuchin, L. A. Bityutskaya, and E. N. Bormontov, Nano-Mikrosist. Tekh., No. 4, 19 (2013).
A. V. Nikolaev and B. N. Plakhutin, Usp. Khim. 79, 803 (2010).
M. E. Lin, R. P. Andres, R. Reifenberger, and D. R. Huffman, Phys. Rev. B: Condens. Matter 47, 7546 (1993).
O. E. Glukhova, Nano-Mikrosist. Tekh., No. 7, 8 (2008).
A. V. Tuchin and L. A. Bityutskaya, Kondens. Sredy Mezhfaznye Granitsy 12, 168 (2010).
S. Wehrli, D. Poilblanc, M. Rice, and M. Sigrist, AIP Conf. Proc. 633, 213 (2002).
E. A. Golubev, Phys. Solid State 55(10), 1078 (2013).
S. Sh. Rekhviashvili, Phys. Solid State 55(7), 1525 (2013).
R. Fasel, P. Aebi, R. G. Agostino, D. Naumovic, J. Osterwalder, A. Santaniello, and L. Schlapbach, Phys. Rev. Lett. 96, 4733 (1996).
L. Liu, S. Liu, X. Chen, C. Li, J. Ling, X. Liu, Y. Cai, and L. Wang, Sci. Rep. 3, 3062 (2013).
I. V. Kuvychko, N. B. Shustova, S. M. Avdoshenko, A. A. Popov, S. H. Strauss, and O. V. Boltalina, Chem.-Eur. J. 17, 8799 (2011).
S. M. Lee, R. J. Nicholls, D. Nguyen-Manh, D. G. Pettifor, G. A. D. Briggs, S. Lazar, D. A. Pankhurst, and D. J. H. Cockayne, Chem. Phys. Lett. 404, 206 (2005).
M. S. Golden, M. Knupfer, J. Fink, J. F. Armbruster, T. R. Cummins, H. A. Romberg, M. Roth, M. Sing, M. Shmidt, and E. Sohmen, J. Phys.: Condens. Matter 7, 8219 (1995).
P. Hohenberg and W. Kohn, Phys. Rev. 136, 864 (1964).
W. Kohn and L. J. Sham, Phys. Rev. 140, 1133 (1965).
T. L. Makarova, Semiconductors 35(3), 243 (2001).