Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Lắng đọng laser xung của các màng mỏng Eu:Y2O3 trên (0001) α-Al2O3
Tóm tắt
Bài báo này tập trung vào việc chuẩn bị và đặc trưng hóa các màng mỏng tinh thể của oxit sesquioxit dop với đất hiếm (Y2O3, Lu2O3) được lớn lên bằng phương pháp lắng đọng laser xung trên các nền sapphire đơn tinh thể (0001). Các phép đo nhiễu xạ tia X cho thấy các màng có độ dày từ 1 nm đến 500 nm có cấu trúc tinh thể đồng hướng dọc theo hướng 〈111〉. Sử dụng phân tích tán xạ Rutherford, thành phần tỷ lệ chính xác của các màng đã được xác lập. Các quang phổ phát xạ và kích thích của các màng dop europium có độ dày ≥100 nm có diện mạo tương tự như của vật liệu khối tương ứng, trong khi các màng có độ dày ≤20 nm cho thấy hành vi phát xạ hoàn toàn khác biệt.
Từ khóa
#màng mỏng #oxit sesquioxit #lắng đọng laser xung #yttrium oxide #europium #sapphire #nhiễu xạ tia X #phân tích tán xạ RutherfordTài liệu tham khảo
S.L. Jones, D. Kumar, R.K. Singh, P.H. Holloway: Appl. Phys. Lett. 71, 404 (1997)
A.C. Rastogi, R.N. Sharma: J. Appl. Phys. 71, 5041 (1992)
S. Zhang, R. Xiao: J. Appl. Phys. 83, 3842 (1998)
K.G. Cho, D. Kumar, P.H. Holloway, R.K. Singh: Appl. Phys. Lett. 73, 3058 (1998)
H.J. Gao, D. Kumar, K.G. Cho, P.H. Holloway, R.K. Singh, X.D. Fan, Y. Yan, S.J. Pennycook: Appl. Phys. Lett. 75, 2223 (1999)
M.H. Cho, D.H. Ko, K. Jeong, I.W. Lyo, S.W. Whanbo, H.B. Kim, S. Choi, J.H. Song, S. Cho, C.N. Whang: J. Appl. Phys. 86, 198 (1999)
K.G. Cho, D. Kumar, D.G. Lee, S.L. Jones, P.H. Holloway, R.K. Singh: Appl. Phys. Lett. 71, 3335 (1997)
M.B. Korzenski, P. Lecoeur, B. Mercey, D. Chippaux, B. Raveau, R. Desfeux: Chem. Mater. 12, 3139 (2000)
E. Mix: Crystal Growth, Spectroscopic Properties and Laser Characteristics ofYb-doped Sesquioxides (Shaker, Aachen 1999) p. 166
S. Bär, G. Huber, J. Gonzalo, A. Perea, A. Climent, F. Paszti: Mater. Sci. B 105, 30 (2003)
Z. Qi, C. Shi, W. Zhang, W. Zhang, T. Hu: Appl. Phys. Lett. 81, 2857 (2002)
P.B.W. Burmester: Optically Active, Crystalline, Rare Earth DopedY2O3Thin Films Deposited by PLD Technique on α-Al2O3 (Shaker, Aachen 2002)
P.B.W. Burmester, G. Huber, M. Kurfiss, M. Schilling: Appl. Phys. A (2003), DOI s00339-003-2250-1
T. Möller, P. Gürtler, E. Roick, G. Zimmerer: Nucl. Instrum. Methods A 246, 461 (1986)
T. Hoshina, S. Imanaga, S. Yokono: J. Luminesc. 15, 455 (1977)
T. Igarashi, M. Ihara, T. Kusunoki, K. Ohno, T. Isobe, M. Senna: Appl. Phys. Lett. 76, 1549 (2000)