William S. Wong1, Lawrence F. Schloss1, G. S. Sudhir1, Barry P. Linder1, Kyoungsik Yu2, E. R. Weber1, Timothy D. Sands1, N.W. Cheung1
1University of California at Berkeley
2Lawrence Berkeley National Laboratory, Materials Science Division, Berkeley, USA
Tóm tắt
TÓM TẮTMột laser excimer KrF (248 nm) với độ rộng xung 38 ns đã được sử dụng để nghiên cứu quá trình xử lý bằng laser xung của các lớp hai AlN/GaN và kích hoạt dopant cho các màng mỏng GaN được cấy Mg. Đối với các lớp hai AlN/GaN, quang phát cathode (CL) cho thấy sự gia tăng cường độ của đỉnh băng GaN tại 3.47 eV sau khi xử lý bằng laser xung với mật độ năng lượng 2000 mJ/cm2. Phân tích tán xạ Rutherford của một cấu trúc dị nguyên màng mỏng A1N (dày 75 nm)/GaN (dày 1.0 μm) với độ cấy Mg cho thấy giảm 20% hiệu suất tán xạ 4He+ sau khi xử lý laser với mật độ năng lượng 400 mJ/cm2. Các phép đo CL đã phát hiện ra đỉnh phát xạ 410 nm cho thấy sự kết hợp của Mg sau khi xử lý bằng laser.
