Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Khuyết Tật Cấp Sâu Do Kỹ Thuật Lò Nóng Bằng Chùm Điện Tử Xung Gây Ra Trong Silicon Nguyên Chất
Tóm tắt
DLTS đã được sử dụng để nghiên cứu các khuyết tật cấp sâu do Kỹ Thuật Lò Nóng Bằng Chùm Điện Tử Xung (PEBA) trong silicon được dop bằng boron (100) nguyên chất. Nhiều điều kiện PEBA khác nhau đã được chọn dẫn đến các độ dày lớp nóng chảy khác nhau, tốc độ mũi chảy khác nhau và các phân bố gradient nhiệt khác nhau. Các bẫy lỗ rời rạc phân tán trong lớp tái sinh đã được quan sát thấy ở tất cả các mẫu đã được xử lý nhiệt. Năng lượng kích hoạt và dấu hiệu nhiệt của các mức này không tương ứng với những khuyết tật đã biết, ngoại trừ một mức đã được gán cho cặp thế carbon interstitial thay thế. Sự ô nhiễm carbon trong quá trình chiếu xạ là giải thích có khả năng nhất cho việc tạo ra khuyết tật này. Các mức bẫy lỗ rời rạc khác có khả năng được hình thành do quá trình làm nguội của lớp nóng chảy miễn là các hồ sơ của chúng không mở rộng vượt quá lớp tái sinh. Hơn nữa, một băng mức rộng, đặc trưng cho các khuyết tật mở rộng, chỉ được quan sát thấy trên các mẫu đã trải qua căng thẳng nhiệt cao nhất. Băng mức này có thể liên quan đến việc hình thành mạng dislocation như đã được quan sát gần đây thông qua T.E.M. trên các mẫu được xử lý bằng PEBA tương tự.
Từ khóa
#Kỹ Thuật Lò Nóng Bằng Chùm Điện Tử Xung #Silicon Nguyên Chất #Khuyết Tật Cấp Sâu #Bẫy Lỗ #Dislocation NetworksTài liệu tham khảo
A. C. Greenwald, A. R. Kirkpatrick, R. G. Little and J. A. Minnucci J. Appl. Phys. 50, 2, 783 (1979)
D. Barbier, A. Laugier and A. Cachard, Proceedings of the International Meeting on the relationship between epitaxial growth conditions and the properties of semiconductor epitaxial layers. Perpignan. J. de Phys. Appl. (to be published) (1983)
D. V. Lang, J. Appl. Phys. 45, 3023 (1974)
A. Chantre, M. Kechouane and D. Bois, Laser and Electron Beam Processing of Materials, MRS Proceedings, Academic Press, p. 385 (1981)
J. R. Troxell, Ph.D. Thesis, Lehigh University (1979)
J. T. Schott, H. M. Deangelis and P. J. Drevinsky, J. Electr. Mat. 9, 2, 419 (1980)
L. C. Kimerling, J. L. Benton, Laser and Electron Beam Processing of Materials, MRS Proceedings, Academic Press, p. 385 (1980)
M. Tholommier, D. Barbier, M. Pitaval, M. Ambri and A. Laugier, J. Appl. Phys. (to be published) (1982)