Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Sản Xuất Màng Mỏng InSb Qua Quy Trình Nung Màng Mỏng Sb2S3-In
Tóm tắt
Một phương pháp tạo ra các màng mỏng indium antimonide (InSb) diện tích lớn thông qua phản ứng Sb2S3 + 2 In → 2 InSb + 3 S ↑ được trình bày. Màng mỏng Sb2S3 với độ dày điển hình khoảng 0.2 μm được tạo ra trên nền kính bằng phương pháp lắng đọng hóa học từ bể (CBD) ở nhiệt độ 10°C với việc sử dụng phức thiosulfatoantimonat(III). Tiếp theo, một màng mỏng indium được lắng đọng lên màng Sb2S3 bằng phương pháp bay hơi nhiệt. Việc nung nóng stack màng mỏng Sb2S3-In ở 300°C trong môi trường nitrogen tạo ra màng mỏng InSb. Sự hình thành của màng này được xác nhận qua các nghiên cứu nhiễu xạ tia X. Chúng tôi sẽ thảo luận về việc tối ưu hóa độ dày của từng màng trong stack Sb2S3-In để tạo ra màng mỏng InSb đơn pha hoặc một cấu trúc dị thể Sb2S3-InSb. Các đặc tính điện và quang của các màng cũng được trình bày.
Từ khóa
#Màng mỏng #Indium Antimonide #Nung #Nhiễu xạ tia X #Tính chất điện-quangTài liệu tham khảo
M. K. Carpenter and M. W. Verbrugge, J. Mater. Res., 9, p.2584 (1994).
S. M. Sze, Physics of semiconductor Devices, Wiley, New York, 1981 p.849 and 751.
S. Yamauchi, T. Hariu, H. Ohba, and K. Sawamura, Thin Solid Films, 316, p.93 (1998).
P. K. Nair, M. T. S. Nair, V. M. García, O. L. Arenas, Y. Peña, A. Castillo, I. T. Ayala, O. GomezDaza, A. Sánchez, J. Campos, H. Hu, R. Suárez, and M. E. Rincón, Solar Energy Materials and Solar Cells, 52, p.313 (1998).
P. K. Nair, L. Huang, M. T. S. Nair, Hailin Hu, E. A. Meyers, and R. A. Zingaro, J. Materials Research 12, p.651 (1997).
M. T. S. Nair, Y. Peña, J. Campos, V. M. García and P. K. Nair, J. Electrochem. Soc., 145, p.2113 (1998).
P. J. George, A. Sánchez, P. K. Nair and M. T. S. Nair, Applied Physics Letters 66 3624 (1995).
V. M. García, P. J. George, M. T. S. Nair and P. K. Nair, J. Electrochem. Soc., 143, p.2892 (1996).
V. M. García, M. T. S. Nair and P. K. Nair, Semicond. Sci. Technol. 14 (1999 at Press).