Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Chuẩn bị màng mỏng YBa2Cu3O7 chất lượng cao diện tích lớn bằng cách bốc bay bằng laser xung với bộ gia nhiệt silicon và quét tổng hợp laser và vật liệu mục tiêu
Tóm tắt
Chúng tôi báo cáo về việc chuẩn bị thành công màng mỏng siêu dẫn YBa2Cu3O7 chất lượng cao, diện tích lớn bằng cách bốc bay bằng laser excimer xung, sử dụng bộ gia nhiệt silicon và quét tổng hợp chùm tia laser và vật liệu mục tiêu. Bài báo mô tả bộ gia nhiệt silicon, quét tổng hợp chùm tia laser và vật liệu mục tiêu, và kết quả thí nghiệm. Biến đổi nhiệt độ của bộ gia nhiệt silicon nằm trong khoảng < ±0.5% trên diện tích 45×40 mm2 ở nhiệt độ 900–1000 °C. Màng mỏng được lắng đọng trên các nền LaAlO3 có đường kính 35 mm. Các màng mỏng có sự biến đổi độ dày ±2.5%; các tính chất siêu dẫn được đo với T
c0=91×0.5 K và J
c= (3.3±0.7)×106 A/cm2 tại 77 K và trường từ tính bằng không.
Từ khóa
#YBa2Cu3O7 #màng mỏng siêu dẫn #laser xung #bốc bay laser #bộ gia nhiệt silicon #muội quét #LaAlO3 #tính chất siêu dẫnTài liệu tham khảo
N. Newman, K. Char, S. M. Garrison, R. W. Barten, R. C. Taber, C. B. Eom, T. H. Geballe, and B. Wilkens,Appl. Phys. Lett. 57, 320 (1990).
S. R. Foltyn, R. E. Muenchausen, R. C. Dye, X. D. Wu, L. Luo, D. W. Cooke, and R. C. Taber,Appl. Phys. Lett. 59, 1374 (1991).
M. F. Davis, J. Wosik, K. Forster, S. C. Deshmukh, H. R. Rampersad, S. Shah, P. Siemsen, J. C. Wolfe, and D. J. Economou,J. Appl. Phys. 69, 7182 (1991).
H. Busch, A. Fink, and A. Müller,J. Appl. Phys. 70, 2449 (1991).
Y. Z. Zhang, L. Li, Y. Y. Zhao, B. R. Zhao, J. W. Li, J. R. Sun, Q. X. Su, and P. Xu,Appl. Phys. Lett. 61, 348 (1992).
B. F. Cole, G. C. Liang, N. Newman, K. Char, G. Zaharchuk, and J. S. Martens,Appl. Phys. Lett. 61, 1727 (1992).
P. M. Mankiewich, J. H. Scofield, W. J. Skocpol, R. E. Howard, A. H. Dayen, and E. Good,Appl. Phys. Lett. 51, 1753 (1987).
D. J. Lichtenwalner, C. N. Soble II, R. R. Woolcott, Jr., O. Auciello, and A. I. Kingon,J. Appl. Phys. 70, 6952 (1991).
M. F. Davis, J. L. Wosil, and J. C. Wolfe,J. Appl. Phys. 66, 5903 (1989).
G. C. Liang, R. S. Withers, B. F. Cole, and N. Newman, presented at the IEEE International Microwave Symposium, Albuquerque, New Mexico, June 1992.
R. E. Muenchausen, D. W. Cooke, S. R. Foltyn, X. D. Wu, and N. S. Nogar,Physica C 190, 46 (1991).
G. Koren, A. Gupta, E. A. Giess, A. Segmüller, and R. B. Laibowitz,Appl. Phys. Lett. 54, 1054 (1989).
K. H. Wu, J. Y. Juang, C. L. Lee, T. C. Lai, T. M. Uen, and Y. S. Gou,Physica C,195, 241 (1992).
H. B. Lu, S. F. Xu, D. F. Cui, Z. H. Chen, G. Z. Yang, and Y. L. Zhou, P. R. China Patent No. 93203399.7 February 1993.
M. Kawaji, S. Baba, and A. Kinbara,The Solid Films 58, 183 (1979).
Su Qingxin, Xu Shifa, Cui Dafu, Lu Huibin, Tian Yongjun, Zhang Yingzi, Zhao Bairu, Chen Zhenghao, Li Lin, and Yang Guozhen,Mod. Phys. Lett. B 6, 477 (1992).
K. H. Young, J. Z. Sun, M. M. Eddy, and A. Inam,J. Electron. Mater. 21, 475 (1992).