Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Chuẩn bị bột oxit indium-tin từ indium và thiếc kim loại cấp thấp
Tóm tắt
Nghiên cứu về việc chuẩn bị bột oxit indium-tin (ITO) từ axit oxalic từ indium và thiếc kim loại. Muối oxalat indium-tin trung gian đã được chuẩn bị trước đó dưới nhiều điều kiện khác nhau, và quá trình phân hủy nhiệt đã được thực hiện để thu được bột ITO cho mục đích chế tạo đạn ITO. Các điều kiện tối ưu cho việc chuẩn bị hợp chất trung gian là nồng độ axit oxalic 2.0 M, pH 8.0, nhiệt độ phản ứng 80 °C và thời gian phản ứng 6 giờ. Độ tinh khiết của hợp chất trung gian có thể được tăng lên tới 99.99% (4 N) thông qua tinh thể hóa lại. Nhiệt độ chuyển pha của hợp chất trung gian sang bột ITO đã được phân tích bằng TGA. Độ tinh khiết, cấu trúc tinh thể và hình dạng hạt của bột ITO đã được khảo sát bằng ICP-OES, XRD và TEM tương ứng. Bột ITO thu được có hình dạng cầu, kích thước đạt 20–50 nm.
Từ khóa
#oxit indium-tin #bột ITO #axit oxalic #muối oxalat indium-tin #phân tích TGA #ICP-OES #XRD #TEMTài liệu tham khảo
S.S. Lee, N.L. Lee, K.L. Kim and T.W. Hong, CLEAN, TECH., 18, 69 (2012).
S.K. Park, Y.M. Roh, S.G. Lee, J.Y. Kim, C.H. Shin and J.W. Ahn, Thin Solid Films, 516, 5822 (2008).
S.K. Park, Y.M. Roh, S.G. Lee, Y. Kim, C.H. Shin and J.W. Ahn, RIST, 21, 352 (2007).
K. S. Park, M. H. Cho, S. J. Jin, C. H. Song and K. S. Nahm, Korean J. Chem. Eng., 22, 46 (2005).
P. Kamonchanok, M. Okorn, P. Joongjar and P. Piyasan, Korean J. Chem. Eng., 24, 397 (2007).
W. S. Nam and G.Y. Han, Korean J. Chem. Eng., 20, 1149 (2003).
F. Tsuyoshj, T. Junichi and K.K. Kohei, J. Ceram. Soc. Japan, 102, 200 (1994).
B. H.T. Radhouane, B. Takatuki, O. Yutaka and T. Yasutaka, J. Appl. Phys., 82, 865 (1997).
B. H.T. Radhouane, B. Takatuki, O. Yutaka and T. Yasutaka, J. Appl. Phys., 83, 2631 (1997).
C. P. David, T. Whitson, D. Janiac, R. Beresford and O.Y. Cleva, J. Appl. Phys., 85, 8445 (1999).
M. H. Sung, W. S. Kim and J. S. Kim, J. Kor. Inst. Chem. Eng., 36, 510 (1998).
E. Coronad, C. Marti-Gastaldo, Galan Mascaros and M. Cavallin, J. American Chem. Soc., 132, 5456 (2010).
P.A. Prasad, S. Neeraj, S. Natarajan and C. N.R. Rao, Chem. Commun., 1251 (2000).
Y. Sihai, L. Guobao, T. Shujian, L. Fuhui and L. Jianhua, J. Solid State Chem., 3703 (2005).
N. H. Kenneth, J. Kor. Inst. Reso. Recy., 10, 3 (2001).
Y. I. Lee and Y.H. Choa, Kor. J. Mater. Res., 22, 174 (2012).