Chuẩn bị bột oxit indium-tin từ indium và thiếc kim loại cấp thấp

Korean Journal of Chemical Engineering - Tập 33 - Trang 3511-3515 - 2016
Su-Jin Koo1, Chang-sik Ju2
1Institute of Defense Science & Technology, Pukyoung National University, Busan, Korea
2Department of Chemical Engineering, Pukyoung National University, Busan, Korea

Tóm tắt

Nghiên cứu về việc chuẩn bị bột oxit indium-tin (ITO) từ axit oxalic từ indium và thiếc kim loại. Muối oxalat indium-tin trung gian đã được chuẩn bị trước đó dưới nhiều điều kiện khác nhau, và quá trình phân hủy nhiệt đã được thực hiện để thu được bột ITO cho mục đích chế tạo đạn ITO. Các điều kiện tối ưu cho việc chuẩn bị hợp chất trung gian là nồng độ axit oxalic 2.0 M, pH 8.0, nhiệt độ phản ứng 80 °C và thời gian phản ứng 6 giờ. Độ tinh khiết của hợp chất trung gian có thể được tăng lên tới 99.99% (4 N) thông qua tinh thể hóa lại. Nhiệt độ chuyển pha của hợp chất trung gian sang bột ITO đã được phân tích bằng TGA. Độ tinh khiết, cấu trúc tinh thể và hình dạng hạt của bột ITO đã được khảo sát bằng ICP-OES, XRD và TEM tương ứng. Bột ITO thu được có hình dạng cầu, kích thước đạt 20–50 nm.

Từ khóa

#oxit indium-tin #bột ITO #axit oxalic #muối oxalat indium-tin #phân tích TGA #ICP-OES #XRD #TEM

Tài liệu tham khảo

S.S. Lee, N.L. Lee, K.L. Kim and T.W. Hong, CLEAN, TECH., 18, 69 (2012). S.K. Park, Y.M. Roh, S.G. Lee, J.Y. Kim, C.H. Shin and J.W. Ahn, Thin Solid Films, 516, 5822 (2008). S.K. Park, Y.M. Roh, S.G. Lee, Y. Kim, C.H. Shin and J.W. Ahn, RIST, 21, 352 (2007). K. S. Park, M. H. Cho, S. J. Jin, C. H. Song and K. S. Nahm, Korean J. Chem. Eng., 22, 46 (2005). P. Kamonchanok, M. Okorn, P. Joongjar and P. Piyasan, Korean J. Chem. Eng., 24, 397 (2007). W. S. Nam and G.Y. Han, Korean J. Chem. Eng., 20, 1149 (2003). F. Tsuyoshj, T. Junichi and K.K. Kohei, J. Ceram. Soc. Japan, 102, 200 (1994). B. H.T. Radhouane, B. Takatuki, O. Yutaka and T. Yasutaka, J. Appl. Phys., 82, 865 (1997). B. H.T. Radhouane, B. Takatuki, O. Yutaka and T. Yasutaka, J. Appl. Phys., 83, 2631 (1997). C. P. David, T. Whitson, D. Janiac, R. Beresford and O.Y. Cleva, J. Appl. Phys., 85, 8445 (1999). M. H. Sung, W. S. Kim and J. S. Kim, J. Kor. Inst. Chem. Eng., 36, 510 (1998). E. Coronad, C. Marti-Gastaldo, Galan Mascaros and M. Cavallin, J. American Chem. Soc., 132, 5456 (2010). P.A. Prasad, S. Neeraj, S. Natarajan and C. N.R. Rao, Chem. Commun., 1251 (2000). Y. Sihai, L. Guobao, T. Shujian, L. Fuhui and L. Jianhua, J. Solid State Chem., 3703 (2005). N. H. Kenneth, J. Kor. Inst. Reso. Recy., 10, 3 (2001). Y. I. Lee and Y.H. Choa, Kor. J. Mater. Res., 22, 174 (2012).