Các Hướng Ưu Tiên cho Các Lớp Mỏng PLZT Được Chiết Xuất Từ Phương Pháp Sol-Gel

Toshihiko Tani1, Z. Xu1, David A. Payne1
1Department of Materials Science and Engineering, Matmeials Research Laboratory and Beckman Institute, University of Illinois at Urbana-Champaign, Urbana, IL 61801

Tóm tắt

Tóm tắt

Các lớp mỏng PLZT đã được lắng đọng lên nhiều loại nền khác nhau bằng phương pháp sol-gel và được tinh thể hóa dưới các điều kiện và xử lý nền khác nhau. Các mối quan hệ được đưa ra cho các đặc điểm hóa học của bề mặt nền và các hướng ưu tiên phát triển trong quá trình xử lý nhiệt. Một hướng ưu tiên (111) luôn phát triển cho perovskite tinh thể hóa trên các lớp Pt có chứa Ti ở bề mặt. Điều này được cho là do sự hình thành của Pt3Ti và vai trò của sự hình thành và phát triển mầm heteroepitaxial. Ngoài ra, một hướng ưu tiên (100) cũng đã được đạt được trên các nền Pt/Ti/SiO2/Si không được thành tạo nóng mà không có Ti ở bề mặt. Điều này được cho là do sự phát triển tự cấu trúc với các mặt phẳng cố gắng đạt các điều kiện năng lượng bề mặt tối thiểu. Các kết quả được thảo luận trong bối cảnh tầm quan trọng của hóa học bề mặt trong việc kiểm soát kết cấu cho sự tinh thể hóa của các lớp mỏng PLZT trên các nền được phủ.

Từ khóa

#PLZT #Sol-Gel #Tinh thể hóa #Hướng ưu tiên #Bảng nền

Tài liệu tham khảo

10.1016/0022-0248(91)90852-V

10.1557/PROC-200-159

10.1080/00150199008018724

10.1143/JJAP.28.L1271

10.1063/1.337654

10.1111/j.1151-2916.1992.tb05505.x

Spierings, 1993, Proceedings of the 4th International Symposium on Integrated Ferroelectrics, 280

10.1143/JJAP.26.550

10.1111/j.1151-2916.1989.tb07686.x

10.1143/JJAP.30.L1052

Ickert, 1990, Advances in Epitaxy and Endotaxy

Hartman, 1973, Crystal Growth

Wu, 1992, Proceedings of 8th International Symposium on Applications of Ferroelectrics, 301

10.1557/PROC-243-545

10.1557/PROC-243-355

Budd, 1985, Brit. Ceram. Soc. Proc., 36, 107

10.1063/1.350420

10.1557/PROC-243-123