Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Tiềm năng của một điện tích thử nghiệm trong plasma bụi - electron
Tóm tắt
Tiềm năng của một điện tích thử nghiệm chuyển động chậm trong plasma điện tử - bụi dương được tính toán với sự xem xét đến sự dao động điện tích của hạt bụi, cũng như sự va chạm giữa các nguyên tử trung hòa với electron và hạt bụi. Các kết quả này sẽ hữu ích cho việc hiểu rõ về sự che chắn trong lớp plasma bụi với các hạt được nâng lên.
Từ khóa
#plasma bụi #điện tích thử nghiệm #dao động điện tích #va chạm nguyên tử #che chắn plasmaTài liệu tham khảo
D. Montgomery, G. Joyce, and R. Sugihara, Plasma Phys. 10, 681 (1968).
G. Cooper, Phys. Fluids 12, 2707 (1969).
C. R. James and F. Vermeulen, Can. J. Phys. 48, 349 (1970).
L. Stenflo, M. Y. Yu, and P. K. Shukla, Phys. Fluids 16, 450 (1973).
L. Stenflo and M. Y. Yu, Phys. Scr. 8, 301 (1973); M. Y. Yu. R. Tegeback and L. Stenflo, Z. Phys. 264, 341 (1973).
J. E. Daugherty, R. K. Porteous, M. D. Kilgore, and D. B. Graves, J. Appl. Phys. 72, 3934 (1992).
P. K. Shukla, Phys. Plasmas 1, 1362 (1994).
O. Otani and A. Bhattacharjee, Phys. Rev. Lett. 78, 1468 (1997); G. Lapenta, Phys. Plasmas 6, 1442 (1999).
M. Lampe, G. Joyce, G. Ganguli, and V. Gavrishchaka, Phys. Plasmas 7, 3851 (2000).
A. P. Nefedov, O. F. Petrov, and S. A. Khrapak, Fiz. Plazmy 24, 1037 (1998) [Plasma Phys. Rep. 24, 1037 (1998)].
M. Rosenberg and D. A. Mendis, IEEE Trans. Plasma Sci. 23, 177 (1995); M. Rosenberg, D. A. Mendis, and D. P. Sheehan, IEEE Trans. Plasma Sci. 24, 1422 (1996); 27, 239 (1999).
P. K. Shukla, Phys. Rev. E 61, 7249 (2000).
V. E. Fortov, A. P. Nefedov, O. S. Vaulina, et al., Zh. Éksp. Teor. Fiz. 114, 2004 (1998) [JETP 87, 1087 (1998)]; A. A. Samaryan, O. S. Vaulina, A. P. Nefedov, et al., Zh. Éksp. Teor. Fiz. 118, 119 (2000) [JETP 91, 106 (2000)].
O. Havnes et al., J. Geophys. Res. 101, 10839 (1996).
M. Horanyi, B. Walch, S. Robertson, and D. Alexander, J. Geophys. Res. 103, 8575 (1998).
B. A. Klumov, S. I. Popel, and R. Bingham, Pis'ma Zh. Éksp. Teor. Fiz. 72, 524 (2000) [JETP Lett. 72, 364 (2000)].