Silicon xốp như nguồn phát sáng tia cực tím

Springer Science and Business Media LLC - Tập 358 - Trang 629-634 - 2011
F. Kozlowski1, B. Huber1, P. Steiner1, H. Sandmaier1, W. Lang1
1Fraunhofer Institute for Solid State Technology, Munich, Germany

Tóm tắt

Ngoài sự phát quang và phát quang điện, silicon xốp có khả năng phát ra một phổ đường tia cực tím. Phát xạ này có thể được quan sát ngay cả ở điều kiện môi trường. Chúng tôi có thể xác định phát xạ đường này là phổ của nitơ. Tại áp suất khoảng 10 mbar, cường độ tia cực tím vượt quá cường độ ở áp suất môi trường khoảng hai bậc độ lớn. Phổ học phụ thuộc vào góc và hành vi phát sáng của ánh sáng ở áp suất thấp hơn đã dẫn chúng tôi đến kết luận rằng các cấu trúc silicon trong các mẫu có hành vi như các súng điện tử kích thước dưới micromet. Các nền kính phủ phẩm có thể được kích thích bởi ánh sáng tia cực tím mạnh ở khoảng 5-20 mbar để ánh sáng đỏ và xanh của các phẩm có thể dễ dàng được nhận diện dưới ánh sáng phòng thí nghiệm thông thường. Một mật độ ánh sáng đạt được là 240 Cd/m2 và 40 Cd/m2 cho ZnS:Cu,Al phát quang xanh và YVO4:Eu phát quang đỏ tương ứng. Phát xạ ánh sáng tia cực tím liên tục đã được quan sát trong hơn 1,5 giờ tại 2 mbar.

Từ khóa

#Silicon xốp #Phát quang #Phát xạ tia cực tím #Nitơ #Áp suất thấp #Cường độ ánh sáng

Tài liệu tham khảo

P. Steiner, F. Kozlowski, W. Lang, Appl. Phys. Lett. 62 2700 (1993) P. Steiner, F. Kozlowski, W. Lang, IEEE Electron Device Lett. 14, 317 (1993) P. Steiner, F. Kozlowski, W. Lang, to be published in Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994) F. Kozlowski, P. Steiner and W. Lang, Journ. Lumin. 57, 163 (1993) F. Kozlowski and W. Lang, J. Appl. Phys. 72, 5401 (1992) G. Janzen, Plasmatechnik, p. 161, Hüthig Verlag, Hamburg (1992) F. Kozlowski, M. Sauter, P. Steiner, W. Lang, Thin Solid Films 222, 196 (1992)