Xiangbo Zeng1, XB Liao1, Hongwei Diao1, Zhongyi Hu1, Ying Xu1, S.B. Zhang1, C.Y. Chen1, W.D. Chen1, Guanglin Kong1
1State key Laboratory for surface physics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Science, Beijing, China
Tóm tắt
TÓM TẮTCác nanowire Si đa hình (SiNWS) đã được tổng hợp thành công trên tấm Si bằng phương pháp lắng đọng hơi hóa học tăng cường bằng plasma (PECVD) ở 440°C, sử dụng silane làm nguồn Si và Au làm chất xúc tác. Để phát triển SiNWS đa hình, cần phải tiền xử lý tấm nền Si với lớp phim Au ở 1100 °C. Đường kính của các nanowire Si dao động từ 15 đến 100 nm. Cấu trúc, hình thái và thành phần hóa học của SiNWS đã được đặc trưng bằng phương pháp diffractometry tia X độ phân giải cao, kính hiển vi điện tử quét, kính hiển vi điện tử truyền qua, cũng như phổ kế phát xạ tia X phân tán năng lượng. Một số nanowire thú vị với các cụm nan Au phân bố đồng đều trong thân nan cũng đã được sản xuất bằng kỹ thuật này.
