Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Sự phụ thuộc vào phân cực của sự dịch Stark trong bờ hấp thụ của các cấu trúc dị thể chấm lượng tử InGaAs/GaAs
Tóm tắt
Hiệu ứng Stark đã được nghiên cứu trong các cấu trúc laser InGaAs/GaAs đa lớp với chấm lượng tử tự lắp ráp (QDs). Sự dịch chuyển trong bờ hấp thụ tùy thuộc vào điện áp phân cực ngược đã được đo trong một đi-ốt laser hai phần. Bờ hấp thụ của QDs dịch chuyển về phía bước sóng dài hơn khi cường độ điện trường tăng. Đã được xác lập rằng sự hấp thụ của QD phụ thuộc vào phân cực của ánh sáng. Cường độ mà tại đó phát quang phân cực TE trong các cấu trúc laser được nghiên cứu cao hơn mười lần so với thành phần bức xạ phân cực TE, điều này được giải thích bởi việc tăng cường mạnh hơn chế độ TE.
Từ khóa
#hiệu ứng Stark #chấm lượng tử #cấu trúc laser #phân cực ánh sáng #hấp thụ bờTài liệu tham khảo
M. Kuntz, G. Fiol, M. Lammlin, et al., Electron. Lett. 41, 244 (2005).
F. Gerschutz, M. Fischer, J. Koeth, et al., Electron. Lett. 42, 1457 (2006).
M. Sugawara, N. Hatori, M. Ishida, et al., J. Phys. D: Appl. Phys. 38, 2126 (2005).
X. Huang, A. Stintz, H. Li, et al., IEEE J. Quantum Electron. 37, 414 (2001).
A. Ramdane, D. Delprat, N. Souli, et al., J. Phys. (France) 9, 22 (1999).
N. El Dahdah, G. Aubin, J.-C. Harmand, et al., Appl. Phys. Lett. 84, 4268 (2004).
N. Edagawa, M. Suzuki, and S. Yamamoto, IEICE Trans. Electron. 81-C, 1251 (1998).
M. Pamplona Pires, B. Yavich, and P. L. Souza, Appl. Phys. Lett. 75, 271 (1999).
V. Aimez, J. Beauvais, J. Beerens, et al., Appl. Phys. Lett. 79, 3582 (2001).
M. M. Sobolev, A. R. Kovsh, V. M. Ustinov, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 33, 184 (1999) [Semiconductors 33, 157 (1999)].
M. M. Sobolev, G. E. Nirlin, Yu. B. Samsonenko, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 39, 1088 (2005) [Semiconductors 39, 1053 (2005)].
M. M. Sobolev, V. M. Ustinov, and G. E. Cirlin, Physica B 340–342, 1103 (2003).
M. M. Sobolev, G. E. Cirlin, Yu. B. Samsonenko, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 39, 126 (2005) [Semiconductors 39, 119 (2005)].
M. M. Sobolev, A. E. Zhukov, A. P. Vasil’ev, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 40, 336 (2006) [Semiconductors 40, 331 (2006)].
A. Gubenko et al., Electron. Lett. 41, 1124 (2005).
K. F. Karlsson, V. Troncale, D. Y. Oberli, et al., Appl. Phys. Lett. 89, 251 113 (2006).