Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Nghiên cứu Photoreflectance của phim GaN được trưởng thành bằng phương pháp lắng đọng hơi hóa học hữu cơ kim loại
Tóm tắt
Phương pháp photoreflectance đã được sử dụng để nghiên cứu các tính chất quang của lớp tinh thể đơn GaN hình lục giác trên cơ sở sapphire (0001), được trưởng thành bằng phương pháp lắng đọng hơi hóa học hữu cơ kim loại (MOCVD). Khoảng cách năng lượng của GaN được xác định là 3.400 eV, và nguồn gốc có thể của tín hiệu PR được quy cho sự điều chế của trường bề mặt và sự mở rộng hình dạng đường cong của các khuyết tật. Đã đo quang hấp thụ và phát quang cathodoluminescence của mẫu GaN, trong đó lề quang hấp thụ ở 3.39 eV và đỉnh phát quang cathodoluminescence ở 3.461 eV tại nhiệt độ thấp (15.6K) đã xác nhận các kết quả của phương pháp Photoreflectance.
Từ khóa
#GaN #Photoreflectance #MOCVD #quang hấp thụ #phát quang cathodoluminescenceTài liệu tham khảo
S. Strite and H. Morkoc, J. Vac. Sci. Technol. B, 10, 1237 (1992)
H. Morkoc, S. Strite, G.B. Gao, M.E. Lin, B. Sverdlov and M. burns, J. Appl. Phys., 76, 1363 (1994)
S. Nakamura, T. Mukai and M. Senoh, Appl. Phys. Lett., 64, 1687 (1994)
M.A. Khan, J.N. Kuznia, A.R. Bhattarai and D.T. Olson, Appl. Phys. Lett., 62, 1786 (1993)
A. Rubio, J.L. Corkill, M.L. Cohen, E.L. Shirley and S.G. Louie, Phys. Rev. B, 48, 11810 (1993)
S. Bloom, G. Harbeke, E. Meier and I.B. Ortenburger, Phys. Stat. Sol.(b), 66, 161 (1974)
K.G. Fertitta, A.L. Holmes, J.G. Neff, F.J. Ciuba and R.D. Dupuis, Appl. Phys. Lett., 65, 1823 (1994)
R. Singh, R.J. Molnar, M.S. Unlu and T.D. Moustakas, Appl. Phys. Lett., 64, 336 (1994)
K. Yung, J. Yee, J. Too, M. Rubin, N. Newman and J. Ross, Appl. Phys. Lett., 64, 1135 (1994)
A. Giordana, D.K. Gaskill, D.K. Wickenden and A. Estes Wickenden, J. Electronic Materials, 23, 509 (1994)
L.H. Qin, K. Yang, Y.D. Zheng, R. Zhang, X.J. Dai, D. Feng, Z.C. Huang and J.C. Chen, Chinese Phys. Lett., 13(2), 153(1996)
D.E. Aspnes, Surf. Sei., 37, 418 (1973)
W. Shan, T.J. Schmidt, R.J. Hauenstein, J.J Song and B. Goldenberg, Appl. Phys. Lett., 66(25), 3492(1995)
B.O. Séraphin, Semiconductors and Semimetals, Vol.9, (Academic Press, New York, 1972), p. 29.