Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Tiếng ồn dòng điện được kích thích quang trong pin mặt trời a-Si:H
Tóm tắt
Các đo lường về tiếng ồn dòng điện được kích thích quang trong các pin mặt trời silicon vô định hình (a-Si:H) đã được báo cáo. Một thành phần 1/f^n (n≈1) chồng lên một thành phần độc lập với tần số do tiếng ồn bắn đơn giản tạo ra được quy cho sự hiện diện của các khuyết tật giới hạn hiệu suất chuyển đổi của tế bào. Đặc biệt, các khuyết tật lớn, chẳng hạn như các điểm ngắn cục bộ hoặc lỗ pin, có thể dễ dàng được phát hiện vì chúng được đặc trưng bởi sự gia tăng rất lớn của thành phần 1/f^n. Nói chung, ngay cả khi không có những khuyết tật lớn như vậy, có một mối tương quan giữa cường độ của thành phần 1/f^n và hiệu suất chuyển đổi của tế bào.
Từ khóa
#tế bào năng lượng mặt trời #tiếng ồn dòng điện #khuyết tật #hiệu suất chuyển đổi #silicon vô định hình #1/f^nTài liệu tham khảo
M. Celasco, A. Masoero, P. Mazzetti andA. Stepanescu:Phys. Rev. B,17, 2253 (1978).
T. M. Chen andD. Smith:Proceedings of the 2nd Symposium on 1/f n Noise, Florida, 1980, p. 376.
A. Van der Ziel:Noise in Solid State Devices and Circuits (J. Wiley & Sons Publ., New York, N. Y., 1986).
A. Carbone, F. Demichelis andP. Mazzetti:Mater. Res. Soc. Symp. Proc.,152, 163 (1989).
F. Demichelis, C. F. Pirri andA. Tagliaferro:Mater. Res. Soc. Symp. Proc.,192, 341 (1990).
H. Kausche, M. Moller, R. Plattner, K. Bednorz, W. Kruhler, W. Peters:Proceedings of the 6th Photovoltaic European Solar Engineering Conference, edited byW. Palz andF. C. Treble (D. Reidel Publ., Dordrecht, 1985), p. 665.
I. Solomon:Proceedings of the 6th Photovoltaic European Solar Engineering Conference, edited byW. Palz andF. C. Treble (D. Reidel Publ., Dordrecht, 1985), p. 631.