Phase separation in annealed InGaN/GaN multiple quantum wells

Journal of Crystal Growth - Tập 189 - Trang 33-36 - 1998
L.T Romano1, M.D McCluskey1, B.S Krusor1, D.P Bour1, C Chua1, S Brennan2, K.M Yu3
1Xerox Palo Alto Research Center, 3333 Coyote Hill Rd., Palo Alto, CA 94304, USA
2Stanford Synchrotron Radiation Laboratory, Menlo Park, CA 94720, USA
3Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, CA 94720, USA

Tài liệu tham khảo

Narukawa, 1997, Appl Phys. Lett., 70, 981, 10.1063/1.118455 Osamura, 1972, Solid State Commun., 11, 617, 10.1016/0038-1098(72)90474-7 Osamura, 1975, J. Appl. Phys., 46, 3432, 10.1063/1.322064 Singh, 1997, Appl. Phys. Lett., 70, 1089, 10.1063/1.118493 I-hsiu Ho, 1996, Appl. Phys. Lett., 69, 2701, 10.1063/1.117683
Thông tin
Thông tin xuất bản

Journal of Crystal Growth

Tập 189

33-36

Thông tin tác giả