Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Nghiên cứu biểu đồ pha của sự hình thành và kết tinh của phim hợp kim vô định hình Ge-kim loại
Tóm tắt
Các phim hợp kim Ge-Au và Ge-Ag đã được lắng đọng trong chân không ở nhiệt độ phòng và sau đó được quan sát một cách hệ thống trong kính hiển vi điện tử truyền (TEM). Nồng độ kim loại tối đa trong các phim hợp kim, C
max, hình thành các pha hợp kim vô định hình ổn định của germanium với vàng và bạc, đã được xác định. Nhiệt độ kết tinh được gia nhiệt T
c, giảm khi hàm lượng kim loại trong các phim này tăng lên cũng đã được tìm thấy. Cấu trúc của các phim này và các mẫu đã được gia nhiệt cũng đã được nghiên cứu. Có nhiều yếu tố ảnh hưởng đến sự hình thành các phim hợp kim vô định hình được lắng đọng trong chân không cho hệ thống Ge-kim loại. Một công thức mới cho C
max đã được phát triển. Tính chất kết tinh được gia nhiệt đã được giải thích bằng cách thay đổi năng lượng tự do và năng lượng kích hoạt của quá trình kết tinh. Năng lượng kích hoạt của quá trình kết tinh, E
a, có thể được thu được từ các giá trị dữ liệu của T
c. Đối với phim Ge-Au, E
a (Au)=E
a
o
/(−18.66C
Au
2
+16.83C
Au+1)±3.3 (kcal mol−1); đối với phim Ge-Ag, E
a (Ag)=E
a
o
/(−2.754C
Ag
2
+3.815C
Ag+ 1)±2.6 (kcal mol−1). Để giải thích tất cả các kết quả này, hai loại biểu đồ pha cho các phim hợp kim đã được giới thiệu. Một là biểu đồ quan hệ ba chiều của sự hình thành pha trong các phim hợp kim bán dẫn-kim loại; nó được giới thiệu để giải thích các yếu tố ảnh hưởng. Một thứ hai là biểu đồ pha ba chiều của hệ thống phim bán dẫn-kim loại đã được gia nhiệt. Từ biểu đồ này, tất cả các chuyển tiếp pha có thể được tìm thấy.
Từ khóa
#Ge-Au #Ge-Ag #hợp kim vô định hình #kính hiển vi điện tử truyền #nhiệt độ kết tinh #năng lượng kích hoạtTài liệu tham khảo
W. Buckel,J. Vac. Sci. Technol. 10 (1973) 599.
Ph. Mangin, G. Marchal, C. Mourey andChr. Janot,Phys. Rev. B2 (1980) 3047.
Suicu Lo, Dachen Qing andZiqin Wu,Phys. Sinica 31 (1982) 1401 (in Chinese).
A. Gheorghin, K. Dricc-Khodja, S. Fisson, M. L. Theye andJ. Dixmier,J. Phys. Colloq. 46 (1985) C8, 545.
A. C. Zettlemoyer, in “Proceedings of the Conference on Ohmic Contact to Semiconductors”, Montreal, Canada (1968) p. 48.
K. L. Chopra, P. Nath andA. C. Rastogi,Phys. Status Solidi A27 (1975) 645.
K. L. Chopra andP. Nath,ibid. A33 (1976) 333.
K. L. Chopra, H. S. Randhawa andL. K. Malhotra,Thin Solid Films 47 (1977) 203.
P. Nath, V. Dutta andK. L. Chopra,ibid. 64 (1979) 65.
P. Nath andK. L. Chopra,ibid. 58 (1979) 339.
P. Nath, V. Dutta andK. L. Chopra,J. Phys. C. (GB) 12 (1979) L203.
Idem, Phys. Status Solidi A34 (1976) 405.
V. Dutta, P. Nath, V. D. Vankar andK. L. Chopra,ibid. A49 (1978) 379.
H. S. Randhawa, L. K. Malhotra andK. L. Chopra,J. Appl. Phys. 49 (1978) 4294.
H. S. Randhawa, P. Nath, L. K. Malhotra andK. L. Chopra,Sol. Stat. Commun. 21 (1976) 73.
Idem, J. Non-Cryst. Solids 29 (1978) 311.
Idem, Phys. Status Solidi A37 (1976) 313.
N. G. Nakhodkin, A. I. Novosel'skaya andA. F. Bardamid,Sov. Phys.-Semicond. 19 (1985) 1182.
Y. Saito,J. Phys. Soc. Jpn 53 (1984) 4230.
T. B. Light andC. N. J. Wagner,J. Appl. Crystallogr. 1 (1968) 199.
J. S. Johannessen, in “Proceedings of the 4th Nordic Solid State Conference”, Turku, Finland (1970) p. 53.
S. Shimaoka andS. C. C. Chang,J. Vac. Sci. Technol. 8 (1971) 243.
Idem, in “Proceedings of the 28th Electron Microscopy Society of America”, Houston, USA (1970) p. 512.
M. L. Theye,Mater. Res. Bull. 6 (1971) 103.
Renji Zhang, Shengling Chu andZiqin Wu,Phys. Sinica 35 (1986) 365 (in Chinese).
Idem, Chinese Phys. Lett. 2 (1985) 211.
B. Predel andD. W. Stein,Z. Naturforsch. A26 (1971) 722.
A. Barna, P. B. Barna andJ. F. Pocza,J. Non-Cryst. Solids 8–10 (1972) 36.
N. G. Nakhodkin, A. F. Bardamid, A. I. Novosel' Skaya andK. I. Yakimov,Sov. Phys. Solid State 29 (1987) 410.
F. Yogawa andY. Fujiki,J. Appl. Phys. Jpn 8 (1969) 1056.
P. Germain, K. Zellama, S. Squelard, J. C. Bourgoin andA. Gheoghin,J. Appl. Phys. 50 (1979) 6986.
A. G. Fitzgerald,J. Mater. Sci. Lett. 1 (1982) 145.
Renji Zhang, Yuping Wang andZiqin Wu,J. Chinese Elect. Micros. Soc. 3(4) (1984) 69.
Idem, in “Proceedings of the Beijing Conference and Exhibition of Instrumental Analysis” ed. C. C. Gus Vol. 1 (1985) p. 83.
G. W. Rackhom andJ. W. Steeds,Inst. Phys. Conf. Ser. 41C (1978) 178.
K. Tamura, J. Fukushima, H. Endo, K. Kishi, S. Ikeda andS. Minomura,J. Phys. Soc. Jpn 36 (1978) 565.
G. Schluckebier andB. Predel,Z Metallkde 71 (1980) 535.
M. K. Gardiner, D. Colbourne andC. Norris,Philos. Mag. B54 (1986) 133.
H. Neumann, W. Oyer, A. G. Iliuskii, T. M. Khristenko, L. E. Mikhailova, A. V. Romanova, T. Scholz andM. Wobst,Wiss. Z. Tech. Univ. Karl-Marx-Stadt 29 (1987) 306.
D. Turnbull,Contemp. Phys. 10 (1969) 473.
D. Turnbull andP. E. Polk,J. Non-Cryst. Solids 8–10 (1972) 19.
H. S. Chen andD. Turnbull,Acta Metall. 17 (1969) 1021.
Idem, Contemp. Phys. 10 (1969) 473.
C. Ortiz, K. A. Rubin andS. Ajuria,J. Mater. Res. 3 (1988) 1196.
Y. Q. Gao andW. Wang,J. Non-Cryst. Solids 81 (1986) 129.
E. Pocza,J. Vac. Sci. Technol. 6 (1969) 472.
I. Gutzow andI. Avramov,J. Non-Cryst. Solids 16 (1974) 128.
Idem, Thin Solid Films 85 (1981) 203.
I. Avramov andI. Gutzow,ibid. 185 (1990) 91.
Renji Zhang, Li Li andZiqin Wu,ibid. 208 (1992) 295.
K. Kim andD. D. L. Chang, “Thin Films-Interfaces and Phenomena”, Fall Meeting, Boston, USA (1985) p. 437.
S. R. Herd, P. Chaudhari andM. H. Brodsky,J. Non-Cryst. Solids 7 (1972) 309.
M. Hafiz, E. Mgbenu, P. A. Tove, H. Norde andS. Petersson,Vacuum (GB) 11 (1977) 193.
G. Y. Robinson,Thin Solid Films 72 (1980) 129.
V. M. Denisov, V. V. Beletskii andP. M. Shurygin,Inorg. Mater. 23 (1987) 298.