Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Tạo hình các tấm GaAs/AlGaAs bằng phương pháp khắc clo do điện tử chiếu xạ tập trung gây ra và sự phát triển KBE tiếp theo
Tóm tắt
Việc tạo hình tại chỗ AlxGa1-xAs (0≦x≦0.7) bằng cách sử dụng chùm điện tử (EB) và khí clo (Cl2) cùng với ứng dụng cho "In-Situ EB Lithography" được nghiên cứu. Trong phương pháp tạo hình này, một lớp oxit GaAs siêu mỏng được sử dụng như một lớp chống ăn mòn. Lớp chống ăn mòn oxit ngăn chặn quá trình khắc khí C12 lên vật liệu phía dưới và cũng có thể được tạo hình bằng tia EB dưới áp suất C12, điều này mang lại sự khắc chọn lọc các lớp GaAs/AlGaAs. Tốc độ khắc của AlxGa1-xAs (0
Từ khóa
#AlxGa1-xAs #khắc clo #chùm điện tử #kỹ thuật lithography #chu trình chân không siêu cao #cấu trúc tinh thểTài liệu tham khảo
D.J. Ehrlich, J.G. Black, M. Rothschild, and S.W. Pang, J. Vac. Sci. Technol. B6, 895 (1989).
For example, Y. Ochiai, K. Gamo, and S. Namba, J. Vac. Sci. Technol. B1, 1047 (1983).
For example, A.E. Willner, M.N. Ruberto, D.J. Blumenthal, D.V.Podlesnic, and R.M. Osgood, Jr. Appl. Phys. Lett. 54, 1839 (1989).
M. Taneya, Y. Sugimoto, and K. Akita, J. Appl. Phys. 66, 1375 (1989).
M. Taneya, Y. Sugimoto, H. Hidaka, and K. Akita, Jpn. J. Appl. Phys. 28, L515 (1989).
K. Akita, M. Taneya, Y. Sugimoto, H. Hidaka, and Y. Katayama, J. Vac. Sci. Technol. B7(6), (to be published).
M. Taneya, K. Akita, H. Hidaka, and Y. Sugimoto, Appl. Phys. Lett. 56(1), (to be published).
F. Bartels and W. Monch, Surface Sci. 143, 315 (1984).
M. Taneya, Y. Sugimoto, H. Hidaka, and K. Akita, (unpublished).
J.P. Contour, J. Massies, and A. Saletes, Appl. Phys. A, 38, 45 (1985).
A.J. Spring Thorpe, S.J. Ingrey, B. Emmerstorfer, and P. Mandeville, Appl. Phys. Lett. 50, 77 (1987).