Tác động của mật độ họa tiết trong quá trình đánh bóng bằng dụng cụ mài cố định

Rajasekhar Venigalla1, Laertis Economikos2, S. V. Babu1
1Dept. of Chemical Engineering, Clarkson University, Potsdam, NY, 13699, USA
2IBM Corporation, East Fishkill Facility, NY, 12590, USA

Tóm tắt

Tóm tắtChúng tôi đã nghiên cứu tác động của mật độ họa tiết trong quá trình làm phẳng hóa học cơ học (CMP) cho ứng dụng cách điện rãnh nông (STI) bằng cách sử dụng đệm mài cố định để kiểm soát tốt hơn quá trình đánh bóng mài cố định. Chúng tôi quan sát thấy rằng đặc điểm đánh bóng của các tính năng có mật độ họa tiết cao phụ thuộc mạnh mẽ vào sự hiện diện của các tính năng có mật độ họa tiết thấp cùng trên cùng một chip trong wafer. Điều này được cho là do hành động mạnh mẽ của các tính năng có mật độ họa tiết thấp lên đệm mài cố định, dẫn đến sự kích hoạt hiệu quả hơn của đệm bởi chúng. Do đó, ngay cả các tính năng có mật độ họa tiết 100% cũng được đánh bóng với tốc độ rất cao khi có sự hiện diện của các tính năng có mật độ thấp.

Từ khóa

#mật độ họa tiết #đánh bóng mài cố định #quá trình làm phẳng hóa học cơ học #cách điện rãnh nông #cấu trúc vi mạch

Tài liệu tham khảo

1. Romer Andreas , Donohue Timothy , Gagliardi Jon , Weimar Frauke , Theime Peter and Hollatz Mark , “STI CMP using fixed abrasive - Demands, Measurement methods and Results”, CMP-MIC Conf., March 2000.

3.J Gagliardi ohn J. , “STI polishing with 3M's fixed abrasives”, 16th Intl. VMIC Conf., September 1999.

2. Economikos Laertis , Jamin Fen-Fen , Ticknor Adam , Simpson Alexander , “Evaluation of Fixed Abrasive Pads for STI Planarization”, CMP-MIC Conf., March 2001.

4. Vo Tuyen , Buley Todd , Gagliardi John J. , “Improved planarization for STI with fixed abrasive technology”, Solid State Technology, June 2000.

5. Gagliardi John J. , Vo Tuyen , “Total Planarizationof the MIT 961 Mask set wafers coated with HDP oxide”, CMP-MIC Conference, March 2000.

6. Ouma Dennis , Lee Brian , Boning. Duane S. , “ Dielectric CMP Characterization Mask Documentation”, version 1.2 (characterization for STI), MIT, Revised May 4, 1999.