Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Sự ngưng tụ từng phần trong quá trình hình thành phim Co silicide
Tóm tắt
Sự ngưng tụ của các phim Co silicide được hình thành trên các nền Si được xử lý với độ dày phim Co bay hơi từ 9 đến 28 nm đã được nghiên cứu bằng kỹ thuật TEM và đo lường điện trở bốn điểm. Kết quả cho thấy phần trên của phim Co hoặc phim Co silicide phản ứng có thể ngưng tụ độc lập với thân chính của lớp silicide. Hiện tượng này được gọi là ngưng tụ từng phần, trái ngược với ngưng tụ toàn bộ phim thường xảy ra ở nhiệt độ cao hơn. Ngưng tụ từng phần có vẻ phát triển nhiều hơn cho các phim mỏng hơn và đặt ra một hạn chế nghiêm trọng cho việc áp dụng các lớp tiếp xúc silicide mỏng cho các thiết bị VLSI tiên tiến. Cơ chế hình thành ngưng tụ từng phần và lý do về sự biến đổi này với độ dày phim được giải thích dựa trên mô hình lý thuyết đã được trình bày trước đó [MRS Proc. Vol. 202, tr. 101 (1991)] về rãnh biên hạt và sự khởi phát của hiện tượng tạo đảo trong các phim silicide. Các lỗ Kirkendall và sự thay đổi thể tích do chuyển pha gây ra đóng vai trò quan trọng trong quá trình này.
Từ khóa
#Co silicide #ngưng tụ từng phần #phim mỏng #điện trở bốn điểm #thiết bị VLSI #rãnh biên hạt #rối loạn Kirkendall.Tài liệu tham khảo
Μ. A. Nicolet and S. S. Lau, in VLSI Electronics Microstructure Science, edited by Ν. G. Einspruch and G. B. Larrabee (Academic Press, New York, 1983), Vol. 6, p. 330.
L. van den Hove and R. F. de Keersmaecker, Reduced Thermal Processing for ULSI, Series Β: Physics, edited by R. A. Levy (Plenum Press, New York, 1988), Vol. 207, p. 53.
Z. G. Xiao, G. A. Rozgonyi, C. A. Canovai, and C. M. Osburn, in Evolution of Thin Film and Surface Microstructure, edited by C. V. Thompson, J. Y. Tsao, and D. J. Srolovitz (Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 202, Pittsburgh, PA, 1991), p. 101.
G. J. Gurp and C. Lagnereis, J. Appl. Phys. 46, 4301 (1975).
C. D. Lien, M. A. Nicolet, and S. S. Lau, Appl Phys. A 34, 249 (1984).
G. J. van Gurp, W. F. van der Weg, and D. Sigurd, J. Appl. Phys. 49, 4011 (1978).
F. M. d’Heurle and C. S. Petersson, Thin Solid Films 128, 283 (1985).
J. Y. Veuillen, J. Derrien, P. A. Badoz, E. Rosencher, and C. d’Anterroches, Appl. Phys. Lett. 51, 1448 (1987).
P. Ruterana, P. Houdy, and P. Boher, J. Appl. Phys. 68, 1033 (1990).
R. S. Berry, J. Bernholc, and P. Salamon, Appl. Phys. Lett. 58, 595 (1991).
Z. G. Xiao, G. A. Rozgonyi, and J. W. Honeycutt, manuscript in preparation.
C M. Osburn, J. Electron. Mater. 19, 67 (1990).