Sự dẫn điện loại P trong ZnSe khối bằng cách cấy ion Nitơ

Springer Science and Business Media LLC - 1991
Minkun Jin1, T. Yasuda1, Khurram Shahzad2, J. L. Merz1
1Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara
2Philips Laboratories, North American Philips Corporation, Briarcliff Manor

Tóm tắt

TÓM TẮTSự dẫn điện loại P trong ZnSe khối đã được đạt được bằng cách cấy ion nitơ (N) với mật độ 1×1016 cm−2, sau đó là quá trình hồi phục nhiệt nhanh ở nhiệt độ cao. Các phép đo hiệu ứng Hall ở nhiệt độ phòng của mẫu cho thấy nồng độ lỗ là ∼1×1017 cm−3, và độ di chuyển là ∼30 cm2/V-s. Các phép đo phát quang (PL) đã được thực hiện để nghiên cứu hành vi quang học của các mẫu, và kết quả cho thấy rằng sự thiệt hại do cấy ion có thể được phục hồi phần nào bằng cách hồi phục nhiệt ở 900°C hoặc cao hơn. Sự suy thoái nhiệt và phục hồi của thiệt hại do cấy ion đã được nghiên cứu dưới góc độ nhiệt độ hồi phục.

Từ khóa

#hướng dẫn điện loại P #ZnSe #cấy ion Nitơ #hiệu ứng Hall #phát quang

Tài liệu tham khảo

10.1143/JPSJ.52.4008

10.1103/PhysRevB.23.4888

10.1103/PhysRevB.19.5178

10.1103/PhysRevB.8.1444

10.1063/1.93093

Chung C. H. , Yoon H. W. and Kang H. S. , Proceedings of the 4th International Conference on Ion Implantation in Semiconductors and Other Materials. Osaka, 1974.

10.1063/1.1663427

10.1143/JJAP.30.L152

Park, 1990, Appl. Phys. Lett., 57, 2127, 10.1063/1.103919

10.1016/0022-0248(90)91086-6

10.1016/0022-0248(90)91090-D

10.1143/JJAP.27.L909

10.1063/1.99033

10.1143/JJAP.28.L528

10.1063/1.1653580

10.1063/1.348434

Olego D. J. , Petruzzello J. , Shahzad K. , Khan B. and Cammack D. A. (Private communication).

Yasuda T. , Jin M. , Merz J. L. and Gaines J. , Proceedings of the 178 th Electrochemical Society Meeting State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCSXIII), Seattle, 1990 (in press).

10.1063/1.99317

10.1143/JJAP.28.L531

Thông tin
Thông tin xuất bản

Springer Science and Business Media LLC

Thông tin tác giả