Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Ảnh Hưởng Của Oxy Đến Dòng Chảy Dẻo Trong Quá Trình Tăng Trưởng Của Si Dendritic Web
Tóm tắt
Bài báo mô tả những ảnh hưởng có thể của oxy đến dòng chảy dẻo của các dải Si trong quá trình tăng trưởng thông qua quy trình mạng nhánh. Tốc độ làm nguội ngăn cản sự hóa nucle hóa đồng nhất và sự phát triển của các kết tủa SiOx có thể phát hiện. Các ứng suất cắt đã tính toán trên các hệ thống trượt {111} > do ứng suất nhiệt đàn hồi gây ra cho thấy sự dao động chu kỳ về dấu hiệu và độ lớn. Thời gian nghỉ tại nhiệt độ cao tương ứng với các giai đoạn ứng suất bằng không hoặc thấp trong những lần đảo ngược dấu hiệu như vậy được cho là đủ lâu để cho phép sự trang trí và khóa các bề mặt lỗi bởi các nguyên tử oxy.
Từ khóa
#oxy #dòng chảy dẻo #silicon #kết tủa SiOx #ứng suất cắt #ứng suất đàn hồiTài liệu tham khảo
R. G. Seidensticker, in CRYSTALS 8. H. Grabmaier, ed., Springer-VERLAG New York (1982) p. 145.
K. Sumino, H. Harada and I. Yonenaga, Jpn J. Appl. Phys. 19, L49 (1980).
S. M. Hu, J. Vac. Sci. Technol. 14, 17 (1977).
J. Patel in Semiconductor Silicon 1977, (Electrochem Soc. Princeton, NJ) (1977).
D. L. Meier, J. Greggi, A. Rohatgi, T. W. O.Keeffe, P. Rai-Choudhury, R. B. Campbell, and S. Mahajan, 18th IEEE Photovoltaic Specialists Conf., Las Vegas, NV (1985).
A. S. Jordan, R. Caruso and A. R. Von Neida, The Bell System Technical Journal, Vol. 59, No. 4, p. 593, April (1980).
K. Sumino and I. Yonenaga, Jpn. J. Appl. Phys. 20, L685 (1981).
P. Haasen, Z. Phys. 167, 461 (1962).
O. Dillon, University of Kentucky, unpublished.
W. Schroter, H. G. Brion and H. Siethoff, J. Appl. Phys. 54, 1816 (1983).
K. Sumino in Semiconductor Silicon 1981, ed. H. R. Huff, R. Kriegler, and Y. Takeishi, (Electrochem. Soc. Princeton, NJ), (1981) p. 208.
K. Sumino, in Defects in Semiconductors II, ed. S. Mahajan and J. W. Corbett, MRS Proc. Vol. 14, North Holland, (1983) p. 307.
D. G. Ast,“Electrical, Structural and Chemical Characterization of Si-Sheet Material,” Cornell University, Dept. of Materials Science and Engineering, Annual Report, Jet Propulsion Laboratory Contract No. 956046 (31 August 1985).
H. J. Hrostowski and R. H. Kaiser, J. Phys. Chem. Solids 9, 214 (1959).
M. Koguchi, I. Yonega and K. G. Sumino, Jpn. J. Appl. Phys. 21, L411 (1982).
J. A. Spitznagel and R. G. Seidensticker, unpublished.
R. Bullough and R. C. Newman, Progress in Semiconductors 5, (Heywood, London) (1962) p. 101.
J. C. Mikkelsen Jr., Appl. Phys. Lett. 40, 336 (1982).