Optimization of GaAs-based 940 nm infrared light emitting diode with dual-junction design

A. V. Zinovchuk, O. Yu. Malyutenko, V. K. Malyutenko, A. D. Podoltsev and A. A. Vilisov, J. Appl. Phys. 104, 033115 (2008).

D.P. Xu, M. D’Souza, J.C. Shin, L.J. Mawst and D. Botez, J. Crystal Growth 310, 2370 (2008).

D. K. Kim, H. J. Lee, Won-Chan An, H. G. Kim and L. K. Kwac, J. Korean Phys. Society 72, 1020 (2018).

H. D. Lu, B. Zhang and F. M. Guo, Opt Quant Electron 48, 181 (2016).

Z. Cevher, P. A. Folkes, H. S. Hier, B. L. VanMil, B. C. Connelly, W. A. Beck and Y. H. Ren, J. Appl. Phys. 123, 161512 (2018).

D. Ban, H. Luo, H. C. Liu, Zbigniew R. Wasilewski and Margaret Buchanan, IEEE Photonics Technol. Lett. 17, 1477 (2005).

D. Das, H. Ghadi, B. Tongbram, S.M. Singh and S. Chakrabarti, J. Lumin. 192, 277 (2017).

I. E. Cortes-Mestizo, E. Briones, C.M. Yee-Rendón, L. Zamora Peredo, L.I. Espinosa-Vega, R. Droopad and Victor H. Méndez-García, J. Crystal Growth 477, 59 (2017).

R. A. Herrera and C. A. Alvarez Ocampo, J. Nonlin. Optical Phys. & Mate., 26, 1750031 (2017).

T. Walther and A.B. Krysa, J. Microscopy 268, 298 (2005).

D. K. Kim and H. J. Lee, J. Nanoscien. and Nanotechn. 18, 2014 (2018).

T. Kawazu, T. Noda and Y. Sakuma, Appl. Phys. Lett. 112, 072101 (2018).

J. Souto, J. L. Pura, A. Torres, J. Jiménez, M. Bettiati and F. J. Laruelle, Microelectron. Reliability 64, 627 (2016).

Z. Z. Zhang, Z. L. Fu, X. G. Guo and J. C. Cao, Chin. Phys. B 27, 030701 (2018).

Cheng-Han Wu and Chao-Hsin Wu, Appl. Phys. Lett. 105, 171104 (2014).

J. Thoma, B. L. Liang, L. Lewis, S. P. Hegarty, G. Huyet and D. L. Huffaker, Appl. Phys. Lett. 102, 113101 (2013).