Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Tính chất quang học của các nanoheterostructure InGaAs/InAlAs biến hình cho bộ chuyển đổi quang điện từ bức xạ laser và bức xạ mặt trời
Tóm tắt
Phổ phản xạ đã được sử dụng để xác định chỉ số khúc xạ của các lớp InxAlyGa1–x–yAs và InxAl1–xAs ở quy mô nano với nồng độ indium và nhôm x = 0.21–0.24 và y = 0, 0.1, và 0.2 trên các cấu trúc heterostructure Bragg-reflector được tạo ra đặc biệt ở bước sóng trong khoảng 700–2000 nm. Phương pháp dựa trên phân tích hệ số tự tương quan và tương quan chéo của các đạo hàm bước sóng của sự phụ thuộc phản xạ của các cấu trúc loại này để xác định các đường cong phân tán của các vật liệu tạo thành bộ phản xạ đã được chứng minh. Kết quả cho thấy rằng việc tăng nồng độ indium trong InGaAs và AlInAs dẫn đến sự gia tăng đáng kể trong chỉ số khúc xạ, với sự bảo toàn đường chạy quang phổ của các chỉ số khúc xạ, điều này là đặc trưng cho gallium arsenide và aluminum arsenide.
Từ khóa
#quang học #chỉ số khúc xạ #nanoheterostructure #InGaAs #InAlAs #bức xạ mặt trời #bộ chuyển đổi quang điệnTài liệu tham khảo
D. V. Rybalchenko, S. A. Mintairov, R. A. Salii, N. Kh. Timoshina, M. Z. Shvarts, and N. A. Kalyuzhnyy, Semiconductors 51, 93 (2017).
S. A. Mintairov, V. M. Emel’yanov, D. V. Rybalchenko, R. A. Salii, N. Kh. Timoshina, M. Z. Shvarts, and N. A. Kalyuzhnyy, Semiconductors 50, 517 (2016).
N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, A. M. Nadtochiy, V. M. Nevedomskiy, D. V. Rybalchenko, and M. Z. Shvarts, Electron. Lett. 53, 173 (2017).
M. Dumke, G. Heiserich, S. Franke, L. Schulz, and L. Overmeyer, J. Syst., Cybernet. Inform. 8, 55 (2010).
V. M. Lantratov, I. V. Kochnev, and M. Z. Shvarts, in Proceedings of the 27th State of the Art Program on Compound Semiconductors Conference SOTAPOCS (Electrochem. Soc., 1997), Vol. 97–21, p. 125.
M. Z. Shvarts, O. I. Chosta, I. V. Kochnev, V. M. Lantratov, and V. M. Andreev, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 68 (1), 105 (2001).
V. M. Emelyanov, N. A. Kalyuzhniy, S. A. Mintairov, M. Z. Shvarts, and V. M. Lantratov, Semiconductors 44, 1600 (2010).
F. Abeles, Ann. Phys. 5, 596 (1950).
S. Adachi, J. Appl. Phys. 66, 6030 (1989).
D. E. Aspnes, S. M. Kelso, R. A. Logan, and R. Bhat, J. Appl. Phys. 60, 754 (1986).
A. N. Pikhtin and A. D. Yas’kov, Sov. Phys. Semicond. 14, 229 (1980).