Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Nghiên cứu quang học của lớp màng epitaxi AlGaN trên GaN
Tóm tắt
Chúng tôi đã điều tra các cấu trúc dị hợp AlxGal-xN/GaN (0
Từ khóa
#AlxGal-xN #GaN #cấu trúc dị hợp #photoluminescence #phản xạ #cathodo-luminescence #ứng suất nén.Tài liệu tham khảo
G. Steude, D.M. Hofmann, B.K. Meyer, H. Amano, and I. Akasaki, physica status solidi (b) 205, R7 (1998)
G. Steude, D.M. Hofmann, B.K. Meyer, H. Amano, and I. Akasaki, physica status solidi (a), 165, R3 (1998)
T. Takeuchi, H. Takeuchi, S. Soat, H. Sakai, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L177 (1997)
L. Podlowski, A. Hoffmann, I. Broser, J. Cryst. Growth 117, 698 (1992).
J. Christen, M. Grundmann, D. Bimberg, J. Vac. Sci. Technol. B9, 2358 (1991).
P. Lautenschlager, M. Garriaga, S. Logothetidis, and M. Cardona, Phys. Rev. B 35, 9174 (1987).
G. D. Cody, in Semiconductors and Semimetals, edited by J.I. Pankove, (Academic, New York, 1984), Vol. 21B, pp 11–79.
G. Steude, B.K. Meyer, A. Hoffmann, F. Bechstedt to be published
E.F. Schubert, E.O. Göbel, Y. Horikoshi, K. Ploog and H.J. Queisser, Phys. Rev. B 30, 813 (1984)
D.K. Wickenden, C.B. Bargeron, W.A. Byrden, J. Miragliova, and T.J. Kistenmacher, Appl. Phys. Lett. 65, 2024 (1994)
M.D. McCluskey, C.G. Van de Walle, C.P. Master, L.T. Romero, and N.M. Johnson, Appl. Phys. Lett. 72, 2725 (1998)