Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Ứng Dụng Quang Học của Các Lớp Phủ Sol-Gel (Có Pigment)
Tóm tắt
Hiệu suất của lớp chống phản xạ oxit thiếc dop antimon/SiO2 cải thiện đáng kể khi chỉ số khúc xạ của lớp SiO2 giảm từ ∼1.45 xuống 1.41 nhờ vào việc giới thiệu tính xốp. Tính xốp có thể được đưa vào bằng cách thêm các dung môi đồng hòa tan có nhiệt độ sôi cao (hoặc các khuôn mẫu như sebacates) vào dung dịch phủ. Việc điều chỉnh tinh vi thành phần dung dịch cho phép hình thành một lớp SiO2 đồng nhất, không tán xạ với chỉ số khúc xạ là 1.41 và độ cứng bút chì đạt H7-H8 trên các màn hình lớn (đường chéo >1 mét) nếu nhiệt độ bảo dưỡng là 160°C. Một ứng dụng thú vị khác là hình thành các lớp trong suốt, có màu sắc đậm trên bóng đèn. Do nhiệt độ hoạt động cao, các yêu cầu nghiêm ngặt được đặt ra cho vật liệu nền và phẩm màu được sử dụng. Các phẩm màu vô cơ có độ ổn định nhiệt tốt, nhưng độ bão hòa màu của chúng yếu hơn so với các phẩm màu hữu cơ, đòi hỏi phải hình thành các lớp phủ tương đối dày. Để đạt được điều này, Methyltrimethoxysilane (MTMS) đã được sử dụng như tiền chất cho vật liệu nền. Các lớp phủ hoàn toàn trong suốt và chịu nhiệt đã được phát triển.
Từ khóa
#lớp phủ chống phản xạ #oxit thiếc #chỉ số khúc xạ #tính xốp #Methyltrimethoxysilane #lớp phủ sol-gelTài liệu tham khảo
C. Mutter, T.N.M. Bernards, M.P.J. Peeters, J.H. Lammers, and M.R. Böhmer, Thin Solid Films 351, 95 (1999).
M.R. Böhmer, A.R. Balkenende, T.N.M. Bernards, M.P.J. Peeters, M.A. Verheijen, L.H.M. Krings, and Z.A.E.P. Vroon, Chalcogenide Glasses and Sol-Gel Materials (Academic Press, Los Angeles, 2001), p. 219.
T. Itou and K. Matsuda, Key Engineering Materials 150, 67 (1998).
M.R. Böhmer and T.A.P.M. Keursten, Journal of Sol-Gel Science and Technology 19, 361 (2000).
H. Nakazumi, K. Ishii, Y. Sakashita, T. Ikai, K. Tadanaga, T. Minami, M. Ueda, H. Funato, H. Kanazawa, K. Natsukawa, and Y. Sakurai, in 2nd International Conference on Coatings on Glass (Elsevier, Amsterdam, 1999), p. 114.
H.C.v.d. Hulst, Light Scattering by Small Particles (Dover Publications, New York, 1981).