Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Tấm Chống Phản Chiếu Quang Học và Vật Liệu Biến Hình Xốp cho Các Thiết Bị Quang Điện Tử
Tóm tắt
Tóm tắt—Các cấu trúc nano chống phản chiếu nhiều lớp dựa trên SiO2/TiO2/SiO2 đã được phát triển cho kính bảo vệ của nhiều thiết bị quang điện tử khác nhau. Các đặc tính truyền và phản xạ quang học của vật liệu siêu vi dựa trên nanocomposite ma trận Ag@PMMA đã được nghiên cứu. Một loại điện cực nanomesh dẫn điện quang học trong suốt mới (điện cực dựa trên oxit nhôm anod xốp) với một lớp mỏng vàng đã được phát triển.
Từ khóa
#chống phản chiếu #vật liệu biến hình #điện cực dẫn điện quang học #thiết bị quang điện tửTài liệu tham khảo
Yu. V. Gulyaev, A. N. Lagar’kov, and S. A. Nikitov, Herald Russian Acad. Sci. 78, 268 (2008).
A. S. R. Krishna, S. L. Saba, and M. Gh. Krishna, Eur. Phys. J. Appl. Phys. 77 (1), 201760376 (2017). https://doi.org/10.1051/epjap/2017160376
F. Nahvi, I. Liberal, and N. Engheta, Opt. Lett. 46 (16), 4591 (2020).
E. Hutter and J. H. Fendler, Adv. Mater. 16 (19), 1685 (2004).
K. A. Vytovtov, E. A. Barabanova and V. M. Vishnevsky, J. Commun. Technol. Electron. 66, 3749 (2021).
S. G. Moiseev, Appl. Phys. A 103, 619 (2011). https://doi.org/10.1007/s00339-010-6193-z
A. S. Shalin and S. A. Nikitov, Progress in Electromagnetics Research B 47, 127 (2013).
A. V. Chshelokova, P. V. Kapitanova, A. N. Poddubny, et al., J. Appl. Phys. 112, 073116 (2012).
K. Ali, S. A. Khan, and M. Z. Mat Jafri, Int. J. Electrochem. Sci. 9 (12), 7865 (2014).
O. N. Gadomskii, K. K. Altunin, and N. M. Ushakov, JETP Lett. 90, 251 (2009).
O. N. Gadomskii, K. K. Altunin, N. M. Ushakov, I. D. Kosobudskii, V. Ya. Podvigalkin, and D. M. Kulbatskii, Tech. Phys. 55, 996 (2010).
J. Sun, X. Cui, C. Zhang, et al., J. Mater. Chem. C 3 (27), 7187 (2015).
G. Wang, P. Yang, G. Qi, et al., J. Appl. Phys. 127, 233102 (2020). https://doi.org/10.1063/5.0005700
J. Zhao, C. Zhang, Q. Cheng, et al., Appl. Phys. Lett. 112, 073504 (2018). https://doi.org/10.1063/1.5018017
A. B. Evlyukhin, C. Reinhardt, and B. N. Chichkov, Phys. Rev. B 84, 235429. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.235429
A. I. Kuznetsov, A. E. Miroshnichenko, Yu. H. Fu, et al., Sci. Rep. 2, 492 (2012). https://doi.org/10.1038/srep00492
A. B. Evlyukhin and S. M. Novikov, Urs Zywietz, et al., Nano Lett. 12, 3749 (2012). https://doi.org/10.1021/nl301594s
M. Decker, I. Staude, M. Falkner, and J. Dominguez, Adv. Opt. Mater. 3, 813 (2015).
A. Alu and N. Engheta, Phys. Rev. Lett. 105, 263906 (2010).
L. V. Alekseyev, E. E. Narimanov, T. Tumkur, et al., Appl. Phys. Lett. 97, 131107 (2010). https://doi.org/10.1063/1.3469925
J. Gao, L. Sun, H. Deng, et al., Appl. Phys. Lett. 103, 051111 (2013). https://doi.org/10.1063/1.4817678
H.-T. Chen, J. Zhou, J. F. O' Hara, et al., Phys. Rev. Lett. 105, 073901 (2010).
B. Zhang, J. Hendrickson, N. Nader, et al., Appl. Phys. Lett. 105, 241113 (2014). https://doi.org/10.1063/1.4904827
A. Santos, T. Kumeria, and D. Losic, Trends Anal. Chem., No. 44, 26 (2013).
W. Lee, R. Ji, U. Gösele, and K. Nielsch, Nature Mater. 5, 741 (2006).
A. M. Jani, Md, D. Losic, and N. H. Voelcker, Progress in Mater. Sci. 58, 636 (2013).
M. K. Hedayati, M. Abdelaziz, Ch. Etrich, et al., Materials 9, 636 (2016). https://doi.org/10.3390/ma9080636
Vicente G. San, R. Bayón, N. Germán, and A. Morales, Thin Solid Films 517 (10), 3157 (2009).
X. G. Li and J. Shen, Thin Solid Films 519 (19), 6236 (2011).
W. X. Que, Z. Sun, Y. Zhou, et al., Thin Solid Films 359 (2), 177 (2000).
F. Gracia, F. Yubero, J. P. Holgado, et al., Thin Solid Films 500 (1–2), 19 (2006).
R. A. Afre, N. Sharma, Mah. Sharon, and Mad. Sharon, Rev. Adv. Mater. Sci. 53, 79 (2018).
T. Nakanishi, E. Tsutsumi, K. Masunaga, et al., Appl. Phys. Express 4, 025201 (2011).
H. Tang, F. Wu, Y. Wei, and Q. Li, Chinese Optics Lett. 3, 722 (2005).
S. Dhara, B. Sundaravel, T. R. Ravindran, et al., Chem. Phys. Lett. 399 (4–6), 354 (2004).
I. V. Antonets, L. N. Kotov, S. V. Nekipelov, and E. A. Golubev, Tech. Phys. 49, 306 (2004).