On the features of dislocation–obstacle interaction in thin films: large-scale atomistic simulation

Philosophical Magazine Letters - Tập 86 Số 8 - Trang 511-519 - 2006
Yuri N. Osetsky1, Y. Matsukawa1, R.E. Stoller1, S.J. Zinkle1
1Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN 37831-6138, USA

Tóm tắt

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

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