Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Phân tích số học về lớp nhân trên dòng tối của điốt quang phát hiện photon đơn InGaAs/InP
Tóm tắt
Dòng tối của điốt quang phát hiện lõi tách hấp thu có phân loại (APDs) InP/InGaAs đã được phân tích số học. Các ảnh hưởng của nồng độ doping, thời gian sống của mang và nồng độ bẫy của lớp suy giảm nhân đã được nghiên cứu. Kết quả cho thấy dòng tối của APDs InP/InGaAs phụ thuộc mạnh vào thời gian sống của mang, mà thời gian này bị ảnh hưởng bởi nồng độ doping và nồng độ bẫy. Những đặc điểm này có thể được sử dụng để phân tích một số vấn đề trong quá trình chế tạo thiết bị.
Từ khóa
#dòng tối #điốt quang phát hiện #APDs #nồng độ doping #thời gian sống của mang #nồng độ bẫyTài liệu tham khảo
Chand, N., Houston, P.A.: Diffusion of Cd and Zn in InP between 550 and \(650^{\circ }\)C. J. Electron Mater. 11, 37–51 (1982)
D’Orsogna, D., Tobin, S.P., et al.: Numerical analysis of a very long-wavelength HgCdTe pixel array for infrared detection. J. Electron. Mater. 37, 1349–1355 (2008)
Dlubek, G., Brummer, O., et al.: Vacancy Zn complexes in InP studied by positrons. Appl. Phys. Lett. 46, 1136–1138 (1985)
Gisin, N., Ribordy, G., Tittel, W., Zbinden, H.: Quantum cryptography. Rev. Mod. Phys. 74, 145–195 (2002)
Jiang, X., Itzler, M.A., Ben-Michael, R., Slomkowski, K.: InGaAs-InP avalanche photodiodes For single photon detection. IEEE Sel. Topics in Quantum Electron. 13, 895–905 (2007)
Ogura, M., Mizuta, M., Hase, N., Kukimoto, H.: Deep levels in InP grown by MOCVD. Jpn. J. Appl. Phys. 22, 658–662 (1983)
Pellegrini, S., Warburton, R.E., et al.: Desing and performance of an InGaAs-InP single photon avalanche diode detector. IEEE J. Quantum Electron. 42, 397–403 (2006)
Singh, A., Anderson, W.A.: Deep-level transient spectroscopy studies of near-surface hole and electron traps in Zn-doped InP using high barrier Yb/p-InP Schottky diodes. J. Appl. Phys. 64, 3999–4002 (1988)
Sugihara, K., Yagyu, E., Tokuda, Y.: Numerical analysis of single photon detection avalanche photodiodes operated in the Geiger Mode. J. Appl. Phys 99, 124502-1–124502-5 (2006)
Tuck, B., Hooper, A.: Diffusion profiles of Zinc in indium phosphide. J. Phys. D Appl. Phys. 8, 1806–1821 (1975)
Wada, O., Majerfeld, A., et al.: Interaction of deep-level traps with the lowest and upper conduction minima in In P. J. Appl. Phys. 51, 423–432 (1980)
Wang, W.J., Lin, L., Li, T.X., et al.: Numerical analysis of single photon avalanche photodiodes with improved structure. In NUSOD’10th International Conference 10, 19–20 (2010)