Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Sự Nucleation và Kết tinh của Các Phim Mỏng Silicon-Nhôm Vô Định Hình
Tóm tắt
Quá trình chuyển pha của các phim mỏng silicon-nhôm vô định hình với 16 at.% và 30 at.% nhôm đã được đặc trưng bằng kỹ thuật TEM trong quá trình ủ tại chỗ ở nhiệt độ 500°C. Không có hiện tượng kết tinh nào được quan sát thấy ở các mẫu có 16 at.% Al ngay cả sau 10 giờ ủ ở 500°C. Ngược lại, sự nucleation của các tinh thể được quan sát trong các mẫu có 30 at.% Al sau 40 phút ủ. Kích thước của các tinh thể này đã tăng lên trong quá trình ủ. Các vùng đơn tinh thể cũng được quan sát và được xác định là nhôm có hướng <111>.
Từ khóa
#silicon #nhôm #phim mỏng #vô định hình #kết tinh #nucleation #TEMTài liệu tham khảo
C.R. Wronski, Solid State Tech., 131, 113 (1988).
M.K. Hatalis and D.W. Greve, J. Appl. Phys., 63, 2260 (1988).
S.R. Herd, P. Chaudhari and M.H. Brodsky, J. of Non-Cryst. Solids, 7, 309 (1972).
D. Sigurd, G. Ottaviani, V. Marrello, J.W. Mayer and J.O. McCaldin, J. of Non-Cryst. Solids, 12 135 (1973).
J. Stoemenos et al, Appl. Phys. Lett., 58, 1196 (1991).
U. Koster and P. Weiss, J. of Non-Cryst. Solids, 17, 359 (1975).
R.C. Cammarata, C.V. Thomson, C. Hayzelden and K.N. Tu, J. Mater. Res., 5, 2133 (1990).
F.A. Trumbore, Bell System Tech. J., 39, 205 (1960).
R.P. Elliot, Constitution of Binary Alloys, first supplement (McGraw-Hill, New York, 1965).
M.K. Hatalis, F. Lin and M.R. Westcott, MRS Symposium Proc. 164, 87 (1990).