Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Quy trình đa lớp mới trong việc hình thành màng mỏng CuInSe2 bằng xử lý nhiệt nhanh
Tóm tắt
Màng mỏng CuInSe2 đã được tổng hợp từ các tiền chất nhị phân bằng phương pháp xử lý nhiệt nhanh (RTP) tại nhiệt độ điểm đặt 290°C trong 70 giây. Với điều kiện xử lý phù hợp, không phát hiện giai đoạn Cu2-xSe có hại trong các phim CIS. Phương pháp tiền chất nhị phân mới bao gồm một cấu trúc hai lớp của các hợp chất In-Se và Cu-Se. Cấu trúc hai lớp này được lắng tụ bằng phương pháp lắng tụ hơi vật lý tăng cường di chuyển ở nhiệt độ thấp (200°C) và ảnh hưởng của các tham số lắng tụ đến thành phần phim tiền chất đã được xác định. Cấu trúc hai lớp sau đó được xử lý bằng RTP và được xác định về cấu trúc qua phương pháp nhiễu xạ tia X và về thành phần qua phương pháp quang phổ tia X phân tán theo bước sóng.
Từ khóa
#CuInSe2 #màng mỏng #xử lý nhiệt nhanh #tiền chất nhị phân #lắng tụ hơi vật lýTài liệu tham khảo
A.M. Gabor, A.M. Hermann, J.R. Tuttle, D.S. Albin, A. Swartzlander, and R. Noufi, AIP Conference Proceedings 268, 1992, p236
G.D. Mooney, A.M. Hermann, J.R. Tuttle, D.S. Albin, and R. Noufi, Appl. Phys. Lett. 58 (23), 1991, p.2678
H. Oumous, A. Knowles, M.H. Badawi, M.J. Carter and R. Hill, Proc. of the 9th EC Photovoltaic Solar Energy Conference Montreux, 1992, p. 124
V. Probst, F. Karg, J. Rimmasch, W. Riedl, W. Stetter, H. Harms, O. Eibl, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol.426, 1996, p.165
C.H. Chang, A. Davydov, B.J. Stanbery and T.J. Anderson, The Conference Record of the 25th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, Washington, D.C. 1996, p.849–852
Matsushita, T. Takizawa, Jpn. J. Appl. Phys. 34, 1995, p.4699–4705
B.J. Stanbery, A. Davydov, C.H. Chang and T.J. Anderson, NREL/SNL Photovoltaics Program Review, AlP Conference Proceedings 394, 1997, p.579–538
J.-Y. Emery, L. Brahim-Ostmane, C. Herlemann and A. Chevy, Journal of Applied Physics, 71, 1992, p.3256
C. Chatillon and J. Y. Emery, Journal of Crystal Growth, 129, 1993, p. 312–320