Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Phương Pháp Phân Tích Mới Về Cấu Trúc SiO2 Bằng Quang Phổ Hấp Thụ Phản Chiếu Hồng Ngoại (Ir-Ras)
Tóm tắt
Mô phỏng phổ RAS của oxide mỏng được thu được bằng cách sử dụng hàm điện môi trích xuất từ các phổ RAS của oxide dày cho thấy đây là một phương pháp khả thi để so sánh các lớp oxide có độ dày khác nhau. Các đặc tính khối và gần bề mặt giao diện của các lớp mỏng SiO2 được hình thành do quá trình nhiệt đã được nghiên cứu bằng phương pháp này và thấy rằng đỉnh phonon LO ở khoảng 1255 cm−1 phản ánh cấu trúc SiO2 khối, trong khi độ phản xạ cao hơn giữa 1100 và 1200 cm−1 phản ánh cấu trúc giao diện SiO2/Si.
Từ khóa
#phương pháp phân tích #SiO2 #quang phổ hấp thụ phản chiếu hồng ngoại #phổ RAS #cấu trúc giao diệnTài liệu tham khảo
F.J. Grunthaner and P.J. Grunthaner, Mater. Sci. Rep. 1, 65 (1986) and references therein.
J.T. Fitch, G. Lucovsky, E. Kobeda and E.A. Irene J. Vac. Sci. Technol., B7, 153 (1989).
R. Brendel, Appl. Phys. A50, 587 (1990).
P. Grosse, B. Harbecke, B. Heinz, R. Meyer and M. Offenberg, Appl. Phys. A39, 257 (1986).
S. Fujimura, K. Ishikawa and H. Mori, The physics and chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 interface 2, edited by C.R. Helms and B.E. Deal, (Plenum Press, New York, 1993), p.91.
S. Fujimura, H. Ogawa, K. Ishikawa, C. Inomata and H. Mori, Ext. Abst. Intern. Conf. on Solid State Devices Mater. 1993, 618.
H. Ogawa, C. Inomata, K. Ishikawa, S. Fujimura and H. Mori, Proc. Intern. Symp. on Control of Semicond. Interfaces 1993, (unpublished).