Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Hiệu ứng trường gần như đối xứng trong các phim kim loại cực mỏng
Tóm tắt
Các màng phim Bi và Pb đã được phát triển theo từng bước dưới điều kiện chân không cực cao trên các nền SrTiO3 được giữ ở nhiệt độ dưới 10K. Các nền đã được trang bị các cực kim loại ở mặt sau. Đối với các phim có điện trở mặt vượt quá điện trở lượng tử của cặp, dẫn điện được phát hiện tăng lên khi điện áp cửa điều khiển mang dấu âm hoặc dương. Phản ứng này, có tính ổn định theo thời gian, lớn nhất ở các phim có điện trở cao nhất, nơi dẫn điện thay đổi khoảng 50% với điện áp cửa 20V. Hiệu ứng này giảm dần theo điện trở mặt giảm và nhiệt độ gia tăng. Nó biến mất ở trên một nhiệt độ đặc trưng và không hiện diện trong các phim siêu dẫn có điện trở mặt (đo ở 14K) nhỏ hơn điện trở lượng tử cho các cặp.
Từ khóa
#kim loại cực mỏng #điện trở lượng tử #phim siêu dẫn #dẫn điện #điện áp cửa điều khiểnTài liệu tham khảo
D. B. Haviland, Y. Liu, and A. M. Goldman, Physical Review Letters 62, 2180–2183 (1989).
J. M. Valles, R. C. Dynes, and J. P. Garno, Physical Review Letters 69, 3567–3570 (1992).
A. F. hebard and M. A. Paalanen, Physical Review Letters 65, 927–930 (1990).
K. A. Muller and H. Burkard, Physical Review B 19, 3593–3602 (1979).
C. J. Adkins, J. D. Benjamin, J. M. D. Thomas, et al., Physica C:Solid State Physics 17, 4633–4644 (1984).
M. Ben-Chorin, D. Kowal, and Z. Ovadyahu, Physical Review B 44, 3420–3423 (1991).
