Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Mô phỏng hàng triệu nguyên tử về căng thẳng bề mặt ở cấp độ nguyên tử và phân bố áp suất trên các tấm mesa InAs/GaAs
Tóm tắt
Các mô phỏng phân tử động lực học quy mô lớn đã được thực hiện để nghiên cứu các ứng suất ở cấp độ nguyên tử trên các tấm mesa InAs/GaAs. Các mô phỏng dựa trên một sơ đồ tiềm năng giữa các nguyên tử cho hệ thống InAs/GaAs, phụ thuộc vào thành phần hóa học cục bộ. Các kỹ thuật đa phân giải được sử dụng để tăng tốc độ mô phỏng. Các tấm mesa vuông InAs/GaAs với các bề mặt bên kiểu {101} đã được nghiên cứu. Phân bố áp suất ở cấp độ nguyên tử và ứng suất bề mặt nguyên tử trên các bề mặt bên với 12, 10, 8 và 6 lớp nguyên tử InAs đã được tính toán.
Từ khóa
#InAs/GaAs #mô phỏng phân tử động lực học #căng thẳng bề mặt nguyên tử #áp suất nguyên tử #tấm mesa #kỹ thuật đa phân giảiTài liệu tham khảo
Q. Xie, A. Madhukar, P. Chen, and N. P. Kobayashi, Phys. Rev. Lett. 75, 2542 (1995); S. Guha, A. Madhukar, and K. C. Rajkumar, Appl. Phys. Lett. 57, 2110 (1990).
A. Konkar, K. C. Rajkumar, Q. Xie, P. Chen, A. Madhukar, H. T. Lin, and D. H. Rich, J. Cryst. Growth 150, 311 (1995).
A. Konkar, A. Madhukar, and P. Chen, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 380, 17 (1995).
A. Konkar, A. Madhukar, and P. Chen, Appl. Phys. Lett. 72, 220 (1998).
A detailed discussion of the interatomic potential and the parameters will be published elsewhere, P. Vashishta, I. Ebbsjö, R. K. Kalia, and A. Nakano, J. Rino, F. Shimojo, to be published.
W. Yu and A. Madhukar, Phys. Rev. Lett. 79, 905 (1997).