Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Mô phỏng Monte Carlo về sự gia nhiệt của electron trong một dẫn điện lượng tử GaAs một chiều
Tóm tắt
Quá trình vận chuyển electron một chiều trong một dẫn điện lượng tử GaAs được nghiên cứu bằng phương pháp Monte Carlo. Kết quả cho thấy, bên cạnh sự tán xạ bởi các phonon quang cực, việc gia nhiệt của các hạt mang điện cũng bị ảnh hưởng đáng kể, trong trường hợp cường độ điện trường cao hơn 5.105V/m, bởi sự tán xạ do tạp chất bị ion hóa và kích thước ngang của dẫn điện.
Từ khóa
#vận chuyển electron #dẫn điện lượng tử #GaAs #mô phỏng Monte Carlo #gia nhiệt #tán xạ #phonon quang cực #tạp chất ion hóaTài liệu tham khảo
W. Fawcett, A. D. Boardman, and S. Swain, J. Phys. Chem. Solids, 31, 1963–1990 (1970).
K. Yokoyama and K. Hess, Phys. Rev. 33, No. 8, 5595–5606 (1986).
V. M. Borzdov and G. Zhevnyak, Vesti Akad. Nauk Belarusi, Ser. Fiz.-Tekh. Nauk, No. 2, 79-84 (1994).
S. Briggs and J. P. Leburton, Phys. Rev. B, 38, No. 12, 8163–8170 (1988).
S. Briggs and J. P. Leburton, Phys. Rev. B, 43, No. 6, 4785–4791 (1991).
R. Mickevicius, V. V. Mitin, K. V. Kim, and Michael A. Stroscio, Semicond. Sci. and Technol., 7, No. 3B, B299-B301 (1992).
A. Ghosal, D. Chattopadhyay, and A. Bhattacharyya, J. Appl. Phys., 59, No. 7, 2511–2513 (1986).
J. P. Leburton, J. Appl. Phys., 56, No. 10, 2851–2856 (1984).
H. Sakaki, Jap. J. Appl. Phys., 19, No. 12, 2735–2738 (1980).
G. S. Canright and G. D. Mahan, Phys. Rev. B, 36, No. 5, 2870–2872 (1987).
Yu. K. Pozhela, Plasma and Current Instabilities in Semiconductors [in Russian], Moscow (1977).