Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Biến đổi bề mặt silicon bằng cách lắng đọng bạch kim không điện từ dung dịch HF
Tóm tắt
Quá trình lắng đọng bạch kim không điện trên Si(100) từ dung dịch HF bị cản trở trên các cơ chất n+ so với các cơ chất p, xác định một khoảng thời gian gia tốc và hiển thị hành vi địa phương hơn. Các kết quả được thảo luận dưới góc độ của một quá trình điện hóa toàn cầu. Bạch kim làm giảm việc bơm lỗ vào ban tĩnh điện của silicon và các nguyên tử silicon bị oxy hóa. Tình hình hình thái cuối cùng là một lớp silicon xốp chứa các hạt nhân bạch kim hình thành do sự lấp đầy các lỗ originated trong các giai đoạn đầu của quá trình lắng đọng.
Từ khóa
Tài liệu tham khảo
A. Brenner and G.E. Riddell, J. Res. Natl. Bur. Stan. 37, p. 31 (1946).
See, for example, Modern Electroplating, edited by F.A. Lowenheim, John Wiley & Sons Inc., New York (1974).
See, for example, M. Paunovic, T. Nguyen, R. Mukherjee, C. Sambucetti and L. T. Romankiw, a) J. Electrochem. Soc. 142, p. 1,495 (1995) and b) C.Y. Mak, MRS Bulletin XIX (8), p. 55 (1994).
See, for example, A. F. Arnold, U. S. Pat. 3,857,733 (1974) or the recipes in references 2,3.
C. Longo, P. T. A. Sumodjo, F. Sanz, J. Electrochem. Soc, submitted.
G. Stremsdoerfer, H. Perrot, J. R. Martin and P. Cléchet, J. Electrochem. Soc, 135, p. 2881 (1988).
L.A. Nagahara, T. Ohmori, K. Hashimoto and A. Fujishima, J. Electroanal. Chem., 333, p. 363(1992).
L.A. Nagahara, T. Ohmori, K. Hashimoto and A. Fujishima, J. Vac. Sci. Technol. A, 11, p. 763 (1993).
K. K. Yoneshige, H. G. Parks, S. Raghavan, J. B. Hiskey, P. J. Resnick, J. Electrochem. Soc, 142, 671 (1995).
O.M.R. Chyan, J.J. Chen, H.Y. Chien, J. Sees and L. Hall, J. Electrochem. Soc, 143, p. 92 (1996).
P. Gorostiza, J. Servat, J. R. Morante and F. Sanz, Thin Solid Films, 275, p. 12 (1996).
T. Ohmi, T. Imaoka, I. Sugiyama and T. Kezuka, J. Electrochem. Soc, 139, p. 3,317 (1992).
H. Morinaga, M. Suyama and T. Ohmi, J. Electrochem. Soc, 141, p. 2834(1994).
P. Gorostiza, J. Servat, F. Sanz and J. R. Morante, in Defect Recognition and Image Processing in Semiconductors, edited by A. R. Mickelson, (Institute of Physics Publishing Ltd. Bristol, UK 1996),p. 293 and references therein.
P. Gorostiza, R. Diaz, J. Servat, F. Sanz and J. R. Morante, J. Electrochem. Soc, in press.
P. Gorostiza, J. Servat, J.R. Morante and F. Sanz, in Suicide Thin Films Fabrication, Properties and Applications, edited by R. Tung, K. Maex, P. W. Pellegrini and L. H. Allen, (Mater. Res. Soc Proc 402, Pittsburgh, PA 1996), p. 611.
P. Gorostiza, R. Diaz, J. R. Morante and F. Sanz, J. Electrochem. Soc, submitted.
R.W. Fathauer, T. George, A. Ksendzov and R.P. Vasquez, Appl. Phys. Lett 60, p. 995,(1992)
P. Allongue, in Advances in Electrochemical Science and Engineering, Vol.4, H. Gerischer, C. W. Tobias, Editors, p.42, VCH Verlagsgesellschaft GmbH, Weinheim (1995).
D. Andsager, J Hilliard, J.M. Hetrick, L.H. AbuHassan, M. Plisch and M.H. Nayfeh, J. Appl. Phys 74, p. 4,783 (1993)
D. Pletcher, F. C. Walsh, Industrial Electrochemistry, 2nd. ed., Chapman and Hall, University Press, Cambridge (1990).