H. Watanabe, K. Kato, T. Uda, K. Fujita, and M. Ichikawa, Phys. Rev. Lett. 80, 345 (1998).
M. L. Green, E. P. Gusev, R. Degraeve, and E. L. Garfunkel, J. Appl. Phys. 90, 2057 (2001).
A. Bongiorno and A. Pasquarello, J. Mater. Sci. 40, 3047 (2005).
H. C. Lu, T. Gustafsson, E. P. Gusev, and E. Garfunkel, Appl. Phys. Lett. 67, 1742 (1995).
E. P. Gusev, H. C. Lu, T. Gustafsson, and E. Garfunkel, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 318, 69 (1994).
B. E. Deal and A. S. Grove, J. Appl. Phys. 36, 3770 (1965).
L. Tsetseris and S. T. Pantelides, Phys. Rev. Lett. 97, 116101 (2006).
T. Akiyama and H. Kageshima, Surf. Sci. 576, L65 (2005).
T. Hattori and T. Suzuki, Appl. Phys. Lett. 43, 470 (1983).
F. G. Himpsel, F. R. McFeely, A. Taleb-Ibrahimi, J. A. Yarmoff, and G. Hollinger, Phys. Rev. B 38, 6084 (1998).
V. D. Borman, E. P. Gusev, Yu. Yu. Lebedinskii, and V. I. Troyan, Phys. Rev. Lett. 67, 2387 (1991).
K. Ohishy and T. Hattoty, Jpn. J. Appl. Phys. 33, L675 (1994).
A. Szekeres, in Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-Based Devices, Ed. by E. Garfunkel, E. Gusev, and A. Vul’ (Springer, 1998), p. 65.
R. M. C. Almadia, S. Goncalves, and I. J. R. Baumvol, Phys. Rev. B 61, 12992 (2000).
O. V. Aleksandrov and A. I. Dusj, Semiconductors 42, 1370 (2008).
G. Gerlach and K. Maser, Adv. Condens. Matter Phys. 2016, 7545632 (2016).
L. D. Landau and E. M. Lifshitz, Statistical Physics (Nauka, Moscow, 1998).
H. Kageshima and K. Shiraishi, Phys. Rev. Lett. 81, 5936 (1998).
