Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Khuyết tật giữa các khoảng trong các thiết bị a-SiGe:H từ các phép đo điện dung
Tóm tắt
Chúng tôi đã đo điện dung của các tế bào quang điện p-i-n a-SiGe:H dưới ảnh hưởng của nhiệt độ, tần số và điện áp. Mật độ trạng thái tại mức năng lượng Fermi g(EF) đã được xác định từ hai phương pháp. Chúng tôi nhận thấy rằng g(EF) tăng từ 1–2×10^16 đến 5–10×10^17/(cm3eV) khi hàm lượng Ge tăng từ 0 đến 63%.
Từ khóa
#a-SiGe:H #điện dung #mức năng lượng Fermi #mật độ trạng thái #tế bào quang điệnTài liệu tham khảo
K. Mackenzie, J. Burnett, J. Eggert, Y. Li, W. Paul, Phys. Rev. B 38, 6120, (1988).
S. Aljishi, Z. Smith, S. Wagner, in Advances in Amorphous Semiconductors, edited by H. Fritzsche, (World Scientific Publishing, Singapore, 1988), p. 887.
H. Matsuura, J. Appl. Phys. 64, 1964,(1988).
R. Rocheleau, S. Hegedus, W. Buchanan, S. Jackson, Appl. Phys. Lett. 51, 133, (1987).
S. Hegedus, R. Rocheleau, R. Tullman, D. Albright, N. Saxena, W. Buchanan, K. Schubert, R. Dozier, Proc. 20th IEEE Photovoltaic Spec. Conf. (IEEE, NY, NY, 1989 in press).
C. Michelson, A. Gelatos, J. Cohen, Appl. Phys. Lett. 47, 412,(1985).
J.D. Cohen, D. Lang, Phys. Rev. B25, 5321, (1982).
D. Jousse, S. Deleonibus, J. Appl. Phys. 54, 4001, (1983).
J.D. Cohen, in Semiconductors and Semimetals-Vol. 21C, edited by J. Pankove (Academic Press, Orlando, FL, 1984) p. 9.
P. Viktorovitch, J. Appl. Phys. 52, 1392, (1981).
J. Beichler, W. Fuhs, H. Mell, H. Welsch, J. Non-Cryst. Sol. 35&36, 587, (1980).
J.D. Cohen, K. Mahavadi, K. Zellama, J. Harbison, A. Delahoy, in Mat. Issues in Amor. Silicon Tech. edited by D. Adler, Y. Hamaka, A. Madan (MRS Proc. 20, Pittsburgh, PA, 1986), p. 213.
D. Lang, J.D. Cohen, J. Harbison, Phys. Rev B 25, 5285,(1982).
We have used value of e which accounts for variation in Ge composition by assuming ϵr=12 for a-Si:H and 16 for a-Ge:H, and that ϵr scaled linearly with Ge between the endpoints.
S. Hegedus, R. Rocheleau, J. Cebulka, B. Baron, J. Appl. Phys. 60, 1046, (1986).
R. Weisfield, Ph.D. Dissertation, Harvard Univ., (1983).
D. Sharma, K. Narasimhan, S. Kumar, B. Arora, W. Paul, w. Turner, J. Appl. Phys. 65, 1996, (1989).