Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Sự phát triển vi cấu trúc và kết cấu của các lớp đệm CeO2 chế tạo qua phương pháp CSD trong môi trường khử với các lưu lượng khác nhau
Tóm tắt
Chúng tôi đã phân tích sự phát triển kết cấu và vi cấu trúc của các lớp đệm CeO2 chế tạo trên các substrat NiW (00l) bằng các phương pháp lắng đọng dung dịch hoá học trong khí khử với các lưu lượng khác nhau. Kết cấu và hình thái của các màng CeO2 đã được kiểm tra bằng phương pháp nhiễu xạ tia X và kính hiển vi lực nguyên tử. Kết quả cho thấy các màng CeO2 có định hướng ưu tiên (00l) đã được thu nhận trong Ar-4%H2 với lưu lượng lớn hơn 1,95 × 10−3 m/s. Độ tinh thể và độ kết cấu của các màng CeO2 phụ thuộc mạnh mẽ vào lưu lượng khí khử. Hơn nữa, lưu lượng lớn hơn của khí khử giúp hình thành màng CeO2 đơn pha và giảm RMS của các màng CeO2. Sự phát triển kết cấu và vi cấu trúc của màng CeO2 liên quan đến nồng độ khuyết tật oxy trong lưới CeO2.
Từ khóa
#CeO2 #lớp đệm #vi cấu trúc #kết cấu #phương pháp lắng đọng dung dịch #khí khử #lưu lượngTài liệu tham khảo
K. Nakao, N. Hirata, A. Itoh, Y. Murayama, T. Seki, T. Machi, K. Tanabe, Supercond. Sci. Technol. 26, 055001 (2013)
L. Arda, S. Ataoglu, S. Sezer, Z. Abdulaliyev, Surf. Coat. Technol. 202, 439–446 (2007)
Y.-K. Kim, J. Yoo, K. Chung, X. Wang, S.X. Dou, Mater. Lett. 63, 800–802 (2009)
P. Mele, K. Matsumoto, T. Horide, A. Ichinose, M. Mukaida, Y. Yoshida, S. Horii, Supercond. Sci. Technol. 20, 244–250 (2007)
S. Fleshler, D. Buczek, B. Carter, P. Cedrone, K. DeMoranville, J. Gannon, J. Inch, X. Li, J. Lynch, A. Otto, E. Podtburg, D. Roy, M. Rupich, S. Sathyamurthy, J. Schreiber, C. Thieme, E. Thompson, D. Tucker, K. Nagashima, M. Ogata, Phys C 469, 1316–1321 (2009)
N. Amemiya, Z. Jiang, T. Kato, K. Ohmatsu, T. Masuda, Y. Shiohara, Phys C 469, 1427–1431 (2009)
A. Hassini, A. Pomar, C. Moreno, A. Ruyter, N. Roma, T. Puig, X. Obradors, Phys C 460–462, 1357–1358 (2007)
M. Coll, S. Ye, V. Rouco, A. Palau, R. Guzman, J. Gazquez, J. Arbiol, H. Suo, T. Puig, X. Obradors, Supercond. Sci. Technol. 26, 015001 (2013)
Y.D. Xia, J. Xiong, F. Zhang, Y. Xue, L.L. Wang, P. Guo, P.J. Xu, X.H. Zhao, B.W. Tao, Appl. Surf. Sci. 263, 508–512 (2012)
L. Ciontea, T. Ristoiu, R.B. Mos, M. Nasui, T. Petrisor Jr, M.S. Gabor, A. Mancini, A. Rufoloni, G. Celentano, T. Petrisor, Mater. Chem. Phys. 133, 772–778 (2012)
Y. Wang, L. Zhou, Y.F. Lu, C.S. Li, Z.M. Yu, L.H. Jin, J.S. Li, J. Alloys Compd. 509, 8812–8824 (2011)
R.N. Bhattacharya, S. Phok, J. Electron. Mater. 36, 1275–1278 (2007)
K.H. Müller, Appl Phys 62, 1796–1799 (1987)
S. Oh, J. Yoo, K. Lee, J.H. Kim, D. Youm, Phys C 308, 91–98 (1998)