Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Cấu trúc vi mô và tính chất điện.Fe của phim mỏng Bi4Ti3O12 được pha tạp Nd theo gradient thành phần, chế tạo bằng phương pháp sol-gel
Tóm tắt
Phim mỏng Bi4−xNdxTi3O12 (BNT) được chuẩn bị trên nền Pt/Ti/SiO2/Si bằng phương pháp sol–gel. Cấu trúc vi mô, tính chất điện cực và điện môi của chúng đã được nghiên cứu. Các phim BNT nâng cấp và hạ cấp có pha đơn đã được thu được với định hướng ưa thích (117). So với các phim BNT đồng nhất được chế tạo với cùng điều kiện, độ cực tích luỹ còn lại (P\n r) và độ cho phép (ε\n r) của các phim BNT theo gradient thành phần đã được cải thiện đáng kể. Phim BNT nâng cấp cho thấy P\n r lớn hơn 2 (34.9 μC/cm2) và ε\n r (509), trong khi các giá trị của phim BNT hạ cấp là 29.4 μC/cm2 và 505. Nguyên tố Bi trong phim BNT hạ cấp tích tụ gần giao diện của phim/điện cực dưới bằng Pt, điều này làm suy giảm gradient thành phần và dẫn đến việc giảm P\n r và ε\n r so với phim BNT nâng cấp.
Từ khóa
#Bi4Ti3O12 #sol-gel #phim mỏng #điện vật lý #tính chất điện môi #gradient thành phầnTài liệu tham khảo
X.S. Gao, J.M. Xue, J. Wang, J. Appl. Phys. 98, 104106 (2005)
A. Garg, Z.H. Barber, M. Dawber, J.F. Scott, A. Snedden, P. Lighfoot, Appl. Phys. Lett. 83, 2414 (2003)
D. Guo, C. Wang, Q. Shen, L. Zhang, M. Li, J. Liu, Appl. Phys. A 97, 877 (2009)
A. Khodorov, S.A.S. Rodrigues, M. Pereira, M.J.M. Gomes, J. Appl. Phys. 104, 126102 (2008)
S. Zhong, Z.G. Ban, S.P. Alpay, J.V. Mantese, Appl. Phys. Lett. 89, 142913 (2006)
J. Sigman, P.G. Clem, C.D. Nordquist, J.J. Richardson, J.T. Dawley, J. Appl. Phys. 102, 054106 (2007)
P. Chakraborty, S.B. Krupanidhi, J. Appl. Phys. 107, 124105 (2010)
D. Wu, H. Wu, Z. Fu, C. Zhao, A. Li, Appl. Phys. Lett. 93, 062904 (2008)
C. Liu, D. Guo, C. Wang, Q. Shen, L. Zhang, J. Mater. Sci. Mater. Electron. (2011). doi 10.1007/s10854-011-0495-6
M.L. Calzada, A. Gonzalez, J. Garcia-Lopez, R. Jimenez, Chem. Mater. 15, 4775 (2003)
G.G. Aguilar, A. Wu, M.A. Reis, A.R. Ramos, I.M.M. Salvado, E. Alves, M.E.V. Costa, Surf. Sci. 600, 1780 (2006)
H.N. Lee, D. Hesse, N. Zakharov, U. Gosele, Science 296, 2006 (2002)