Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Đặc trưng vi cấu trúc của các lớp mỏng ferroelectric được sử dụng trong bộ nhớ không bay hơi — Kính hiển vi quang học và kính hiển vi điện tử quét
Tóm tắt
Các lớp mỏng ferroelectric titanate zirconate chì đã được chế tạo và tích hợp hoàn toàn với công nghệ bán dẫn CMOS tiêu chuẩn để sản xuất các thiết bị bộ nhớ IC không bay hơi, hiện đang được thử nghiệm trên thị trường. Bắt đầu từ dung dịch sol-gel organo-kim loại và sử dụng công nghệ kính phủ spin-on IC tiêu chuẩn và công nghệ ủ nhiệt, các lớp mỏng ferroelectric loại perovskite đã được hình thành. Nhiều kỹ thuật đã được nghiên cứu để đặc trưng hóa microstructure tinh thể của lớp ferroelectric. Những quan sát được trình bày ở đây bao gồm các phân tích bằng kính hiển vi quang học, kính hiển vi điện tử quét và phân tích nhiễu xạ tia X về ảnh hưởng của thành phần ferroelectric và nhiệt độ sinter lên cấu trúc tinh thể.
Từ khóa
Tài liệu tham khảo
B. Jaffe, et al., Piezoelectric Ceramics, (Academic Press, London, 1971), p. 136.
F.W. Billmeyer, Jr., Textbook of Polymer Science, 2nd ed. (Wiley-Interscience, New York, 1971), p. 163.
B. Jaffe, et al., ibid, p. 137.
S.A. Myers and L.N. Chapin, this proceedings, E.R. Myers and A.I. Kingon, editors.