Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Tính chất vi cấu trúc và nhiệt điện học của các hợp chất Bi0.5Sb1.5Te3 có pha t-dop Te và Bi2Te2.85Se0.15 có pha n-dop SbI3
Tóm tắt
Các hợp chất nhiệt điện Bi0.5Sb1.5Te3 pha t-dop Te và Bi2Te2.85Se0.15 pha n-dop SbI3 đã được chế tạo bằng phương pháp ép nóng trong khoảng nhiệt độ từ 380 đến 440 °C dưới áp suất 200 MPa trong môi trường Ar. Cả hai hợp chất đều có mật độ cao và cho thấy chất lượng tinh thể tốt. Các hạt của các hợp chất có sự định hướng ưu tiên và chứa nhiều bề mặt lệch lớp qua quá trình ép nóng. Đường gãy vụn theo các mặt cắt xuyên hạt, vuông góc với trục c. Ngoài ra, khi nhiệt độ ép tăng lên, chỉ số phẩm chất cũng tăng theo. Các giá trị cao nhất của chỉ số phẩm chất cho các hợp chất pha t và pha n, đạt được ở 420 °C, lần lượt là 2.69 × 10-3/K và 2.35 × 10-3/K.
Từ khóa
#hợp chất nhiệt điện #Bi0.5Sb1.5Te3 #Bi2Te2.85Se0.15 #pha t #pha n #ép nóngTài liệu tham khảo
R. W. G. Wyckoff, Crystal Structure, Vol.2, Interscience Publishers, New York, 1964.
J. R. Weise and L. Muller, J. Phys. Chem. Solids 15, 13 (1960).
J. P. Fleurial, L. Gailliard, R. Triboulet, H. Scherrer, and S. Scherrer, J. Phys. Chem. Solids 49, 1237 (1988).
K. Uemura and I. Nishida, Thermoelectric Semiconductors and Their Application, Nikkan-Kogyo Shinbun Press, Tokyo, Japan, 1988.