Các pha chuyển tiếp và sự lớn lên epitaxy của silicide kim loại

Springer Science and Business Media LLC - 1987
J. M. Gibson1
1AT&T Bell Laboratories, Murray Hill, USA

Tóm tắt

TÓM TẮTSự phát triển của các silicide epitaxy NiSi2 và CoSi2 trên Si được thảo luận từ những quan sát được thực hiện bằng kính hiển vi điện tử truyền qua in-situ. Đặc biệt, chúng tôi quan sát sự xuất hiện của các pha metastable epitaxy, điều này phát sinh từ sự thống trị của năng lượng bề mặt ở các màng mỏng cực kỳ mỏng. Những pha này liên quan đến sự phụ thuộc vào độ dày của cấu trúc vi mô trong các silicide này và có thể được dự đoán sẽ xảy ra trong nhiều hệ thống màng mỏng nhị phân và phức tạp hơn.

Từ khóa

#silicide kim loại #quá trình epitaxy #pha metastable #kính hiển vi điện tử truyền qua #màng mỏng

Tài liệu tham khảo

10.1103/PhysRevLett.52.461

Tung, 1983, Phys. Rev. Lett., 429

4. Gibson J.M. , Batstone J.L. and Tung R.T. , to be published

10.1063/1.335482

Comin, 1983, Phys. Rev. Lett., 50, 429, 10.1103/PhysRevLett.50.429

10.1103/PhysRevLett.54.2517

10.1080/01418618208243901

10.1016/0039-6028(86)90848-4

1. McDonald M.L. , Gibson J.M. and Unterwald F.C. , J. Sci. Inst., to appear

10.1063/1.98882

D'Heurle, 1985, Thin Sol. Films, 283, 128

3. Gibson J.M. , Batstone J.L. and Tung R.T. and Unterwald F.C. , submitted to Phys. Rev. Lett.

10.1116/1.583470

Thông tin
Thông tin xuất bản

Springer Science and Business Media LLC

Thông tin tác giả