Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Mô Hình Hồ Sơ Kim Loại của Hg Corner LPE HgCdTe
Tóm tắt
Thủy ngân cadmium telluride (Hg1-x Cdx Te) là một vật liệu quan trọng cho các ứng dụng cảm biến hồng ngoại nhờ vào khoảng cách băng tần biến đổi, có thể đạt được thông qua việc thay đổi tỷ lệ thủy ngân/cadium. Do đó, các hệ thống cảm nhận hồng ngoại với yêu cầu về bước sóng khác nhau, thường từ 2 đến 12 μm, có thể được cung cấp bởi một công nghệ vật liệu duy nhất. Công nghệ nuôi cấy tinh thể khối đã được áp dụng ban đầu cho các ứng dụng này. Tuy nhiên, việc nuôi cấy tinh thể lớn và chất lượng cao gặp khó khăn do điểm nóng chảy cao của HgCdTe và áp suất hơi Hg cao đi kèm. Kỹ thuật nuôi cấy epitaxy pha lỏng (LPE) có thể làm giảm nhiệt độ nuôi cấy thông qua việc sử dụng dung môi và cho phép lắng đọng màng mỏng trên các nền nước ngoài lớn được nuôi cấy mà không có Hg.
Từ khóa
#HgCdTe #cảm biến hồng ngoại #nuôi cấy tinh thể #kỹ thuật LPE #khoảng cách băng tầnTài liệu tham khảo
D.W. Shaw, J. Cry. Growth 62, 247 (1983).
K. Zanio, J. Vac. Sci. & Tech. A 4, 2106 (1986).
M. Tang, 1986 Workshop on the Phy. and Chem. of HgCdTe.
P.E. Herning, J. Elec. Mat. 13, 1 (1984).
B.W. Ludington, IRIS Mat’l Spec. Group, (1986).
T. Tung, et al, J. Vac. Sci. & Tech. 21, 117 (1982).